公开(公告)号：CN111370433A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910956285.9

申请日：2019-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  TOWERJAZZ松下半导体有限公司

Inventor： 境田良太 ,  佐藤好弘 ,  佐伯幸作 ,  堂下秀树 ,  山下武志

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请提供摄像装置以及其制造方法。本申请的一个形态所涉及的摄像装置(100)具备半导体衬底(60)和多个像素(10)，多个像素(10)的每一个具备：光电转换部(12)，将入射光转换为电荷；第1扩散区域(67n)，位于半导体衬底(60)中，与光电转换部(12)电连接；复位晶体管(26)，包括第1扩散区域(67n)且具备栅极电极(26e)，并将第1扩散区域(67n)用作源极以及漏极的一方；接触插头(cp1)，与第1扩散区域(67n)直接连接，并与光电转换部(12)电连接，以半导体衬底(60)的表面为基准，接触插头(cp1)的高度与栅极电极(26e)的高度彼此相等。

公开(公告)号：CN1855519A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610068289.6

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  佐伯幸作

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供了一种具有高信噪比的MOS固态摄像装置。在形成于半导体基底内部的图像检测部分(2)的表面上，提供了其面积小于图像检测部分(2)表面积、具有涂覆于其间的绝缘薄膜(6)的抗反射薄膜(10)。抗反射薄膜(10)被形成为未覆盖图像检测部分(2)和外围区域之间的边界部分。每个抗反射薄膜(10)与栅电极(7)之间的间隙S1的距离和抗反射薄膜(10)与元件隔离区域(5)之间的间隙S2的距离优选等于或大于0.2μm。当抗反射薄膜(10)面积等于或大于图像检测部分(2)表面积的70％时，即使用于带有可互换镜头的照相机，也能抑制像素灵敏度的波动。