公开(公告)号：CN100481478C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580027741.8

申请日：2005-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  小岛基弘

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明的放大式固体摄像器件，将多个像素排列成二维状，所述像素包括在第1导电型阱区域形成的第2导电型光电二极管部(1)、和对存储在上述光电二极管部的电荷进行放大输出的晶体管(6)。并且，在上述光电二极管部的区域内配置有用于向上述阱区域供给基准电压的像素内触点(2)。得到改善残像特性、并且不对光学特性产生不良影响的合理的像素内GND触点的配置。

公开(公告)号：CN101006585A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027741.8

申请日：2005-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  小岛基弘

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明的放大式固体摄像器件，将多个像素排列成二维状，所述像素包括在第1导电型阱区域形成的第2导电型光电二极管部(1)、和对存储在上述光电二极管部的电荷进行放大输出的晶体管(6)。并且，在上述光电二极管部的区域内配置有用于向上述阱区域供给基准电压的像素内触点(2)。得到改善残像特性、并且不对光学特性产生不良影响的合理的像素内GND触点的配置。

公开(公告)号：CN1855519A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610068289.6

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  佐伯幸作

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供了一种具有高信噪比的MOS固态摄像装置。在形成于半导体基底内部的图像检测部分(2)的表面上，提供了其面积小于图像检测部分(2)表面积、具有涂覆于其间的绝缘薄膜(6)的抗反射薄膜(10)。抗反射薄膜(10)被形成为未覆盖图像检测部分(2)和外围区域之间的边界部分。每个抗反射薄膜(10)与栅电极(7)之间的间隙S1的距离和抗反射薄膜(10)与元件隔离区域(5)之间的间隙S2的距离优选等于或大于0.2μm。当抗反射薄膜(10)面积等于或大于图像检测部分(2)表面积的70％时，即使用于带有可互换镜头的照相机，也能抑制像素灵敏度的波动。