公开(公告)号：CN1452251A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03122525.X

申请日：2003-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土井博之

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L29/866 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66106

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在占有面积变小的情况下，能够容易获得预期的稳压，而且能够防止反向耐压随时间的变动。稳压元件是由通过由P型硅酮制成的半导体基片11中的元件隔离绝缘膜12区划成的活性区域10的上部形成的、N型杂质高浓度扩散制成的N型杂质扩散层13，和在该N型杂质扩散层13的下面由P型杂质扩散成的P型杂质扩散层14构成的。N型杂质扩散层13及P型杂质扩散层14是面对半导体基片11平行设置的两层。通过该N型杂质扩散层13和P型杂质扩散层14之间的PN结形成二极管结构。P型杂质扩散层14和元件隔离绝缘膜12相邻接部分的杂质浓度设定成低于在其余的部分的该杂质的浓度。

公开(公告)号：CN100341156C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03122525.X

申请日：2003-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土井博之

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L29/866 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66106

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在占有面积变小的情况下，能够容易获得预期的稳压，而且能够防止反向耐压随时间的变动。稳压元件是由通过由P型硅酮制成的半导体基片11中的元件隔离绝缘膜12区划成的活性区域10的上部形成的、N型杂质高浓度扩散制成的N型杂质扩散层13，和在该N型杂质扩散层13的下面由P型杂质扩散成的P型杂质扩散层14构成的。N型杂质扩散层13及P型杂质扩散层14是面对半导体基片11平行设置的两层。通过该N型杂质扩散层13和P型杂质扩散层14之间的PN结形成二极管结构。P型杂质扩散层14和元件隔离绝缘膜12相邻接部分的杂质浓度设定成低于在其余的部分的该杂质的浓度。

公开(公告)号：CN103703759A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280037094.9

申请日：2012-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  坂田祐辅 ,  广濑裕 ,  宫川良平 ,  土井博之 ,  筒井将史

IPC: H04N5/357 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/3742 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/363 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明具备：外延层（2）；多个像素电极（11）；被形成在多个像素电极上，将光转换成电信号的光电转换膜（12）；被形成在光电转换膜（12）上的透明电极（13）；以与多个像素电极（11）分别对应的方式被形成在外延层（2）内，并与对应的像素电极（11）电连接，对通过光电转换而在光电转换膜（12）生成的电荷进行蓄积的n型电荷蓄积区域（14）；以与电荷蓄积区域（14）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的p型电荷势垒区域（21）；以与电荷势垒区域（21）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的n型电荷排出区域（22）。