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公开(公告)号：CN1332453C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN03809646.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7785
Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板(101)；在该基板上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层(103)；在第一阻挡层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层(104)；在沟道层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体半导体构成的第二阻挡层(105)；和在第二阻挡层上设置的源极电极(107)、栅极电极(109)以及漏极电极(108)，第一阻挡层具有n型扩散层(103a)，第二阻挡层具有p型扩散层(105a)，沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层(106)在第二阻挡层上形成。
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公开(公告)号：CN1698209A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000426.1
申请日：2004-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/0817 , H01L29/127 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III－V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。
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公开(公告)号：CN100459150C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN1647024A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808026.5
申请日：2003-04-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/16
Abstract: 一种服务器，与多个客户机连接成可通信，向该客户机发送声音信息，并让其播放所发送的声音信息，具有：存放多个以由多个话语者的语音构成的一话语者的语音为内容的语音声音信息的存储装置；决定多个语音声音信息播放时序的时序决定装置；按照由时序决定装置播放时序进行播放，而对向每个客户机发送对应的所述语音声音信息的发送装置。
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公开(公告)号：CN1545634A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800880.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/015 , G02F1/017 , G02F2202/32 , G02F2203/02 , G02F2203/10
Abstract: 本发明的调制器包括：第一导电型的第一半导体层(33)；与第一半导体层连接的第二导电型的第二半导体层(31)；第二导电型的第三半导体层(46)；在第二半导体层和第三半导体层之间形成的电介质层(111)；在电介质层中的具有多个导体片的天线电极(32)，该多个导体片整体形成网状，并在该网状的交点配置成相互分离且与第二半导体层和第三半导体层两者成接触状态；电连接所述第一半导体层的第一电极(8)；和电连接第三半导体层的第二电极(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100350577C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1-xNyA1-y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN1237369C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03800880.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/015 , G02F1/017 , G02F2202/32 , G02F2203/02 , G02F2203/10
Abstract: 本发明的调制器包括：第一导电型的第一半导体层(33)；与第一半导体层连接的第二导电型的第二半导体层(31)；第二导电型的第三半导体层(46)；在第二半导体层和第三半导体层之间形成的电介质层(111)；在电介质层中的具有多个导体片的天线电极(32)，该多个导体片整体形成网状，并在该网状的交点配置成相互分离且与第二半导体层和第三半导体层两者成接触状态；电连接所述第一半导体层的第一电极(8)；和电连接第三半导体层的第二电极(7)。
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公开(公告)号：CN1602569A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03801328.2
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层(3)、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层(4)、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。
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公开(公告)号：CN103339857A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006602.7
申请日：2012-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/687 , H02M1/08
CPC classification number: H03K17/04 , H01L2224/48137 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H02M1/08 , H03K17/04123 , H03K17/691 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够对半导体开关元件输出不仅是上升时间、下降时间也较短的驱动信号的具有信号绝缘功能的栅极驱动电路，具备：输入端子，被输入控制信号；输出端子；电容器，连接在输出端子上；调制部（170），生成表示控制信号中的第一逻辑值的定时的第一调制信号和表示控制信号中的至少第二逻辑值的定时的第二调制信号；第一电磁谐振耦合器（107），将第一调制信号非接触地传送；第二电磁谐振耦合器（108），将第二调制信号非接触地传送；第一整流电路（171），通过将第一调制信号解调而生成第一解调信号，向输出端子输出；第二整流电路（172），通过将第二调制信号解调而生成第二解调信号，向输出端子输出。
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公开(公告)号：CN1692483A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1－xNyA1－y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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