公开(公告)号：CN101976684B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN103201898A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201280003591.7

申请日：2012-05-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井秀一 ,  上田大助

IPC: H01P5/02 ,  H01F38/14 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/30107 ,  H01P1/20381 ,  H01P5/028 ,  H01P7/08 ,  H01P7/082 ,  H01P7/084 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 提供一种能够容易地集成化的电磁共振耦合器。具备传送基板（701）和反射基板（702），在传送基板（701）上设置有：第一共振布线（704），形成为环形状的一部分由第一开放部（726）开放的形状；第一输入输出布线（711），与第一共振布线（704）连接；第二共振布线（703），设置于第一共振布线（704）的内侧，形成为环形状的一部分由第二开放部（723）开放的形状；以及第二输入输出布线（710），与第二共振布线（703）连接；在反射基板（702）上设置有反射布线（707），该反射布线（707）形成为环形状的一部分由第三开放部（724）开放的形状；从与传送基板（701）的主面垂直的方向观察时，反射布线（707）和第一共振布线（704）及第二共振布线（703）重叠。

公开(公告)号：CN101361240B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780001710.4

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  油利正昭 ,  杉浦胜己 ,  松田贤一

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/042

Abstract: 半导体光源装置具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件101、和驱动发光元件101的驱动电路102。驱动电路102进行根据向发光元件供给顺向电流来使发光元件101发光的顺向驱动动作、和向发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作。逆向偏压的大小由流过发光元件的逆向电流值限制。

公开(公告)号：CN100490191C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510076124.9

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/3043 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明的目的是提供一种衬底的分割方法，通过该方法，可在不会产生芯片缺陷的情况下，进行衬底分割，使芯片形状再现性良好且接近四边形，并且可以再现性良好地形成平坦的解理面，在衬底表面(2)上，照射使衬底的内部产生错位的强度的电子束(1)，产生以错位为起点的裂缝，从而形成解理面(5)，来分割衬底。

公开(公告)号：CN100341212C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03152677.2

申请日：2003-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/42 ,  H01L21/00 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/02252 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  G11B2007/0006 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明，着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。

公开(公告)号：CN100336214C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03160214.2

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西嶋将明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/04

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L23/057 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括半导体芯片、密封所述半导体芯片的模塑树脂、以及从所述模塑树脂的内部一直延伸到外部的多条导体引线。所述导体引线的配置于所述模塑树脂内的部分形成内部端子部，配置于所述模塑树脂外的部分形成外部端子部。所述半导体芯片的电极和所述导体引线的内部端子部相连接。所述导体引线中的至少一条的所述内部端子部，形成至少一部分比所述外部端子部的宽度窄的电感元件部。树脂封装内形成的电感元件具有稳定的特性，将高频特性的稳定性提高。

公开(公告)号：CN1842916A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000820.X

申请日：2005-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  上田大助

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置，包括：形成在硅衬底上的摄像区域中的多个光电变换部、和填充在形成在硅衬底的光电变换部周围的至少一部分中的槽部即元件隔离槽中的填充层。填充层，由热膨胀系数超过氧化硅的热膨胀系数且小于等于硅的热膨胀系数的材料构成。

公开(公告)号：CN1469481A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03148731.9

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久 ,  田中圭介 ,  上田大助

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种存储装置，具有包含由在硅构成的基板(10)上依次形成的下部电极(21)、铁电体膜(22)以及上部电极(23)所构成的电容(20)的存储单元。铁电体膜(22)，在下部电极(21)上选择性生长后形成。这样，由于在具有所希望的下部电极(21)上选择性地形成铁电体膜(22)，在铁电体膜(22)中不会有损伤部，可以实现存储单元的微细化。

公开(公告)号：CN103219375A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310073522.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN102484124A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。