公开(公告)号：CN100474622C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510070258.X

申请日：2005-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上真幸 ,  大平明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有寄生二极管、并且减小寄生PNP晶体管的hfe的低价的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括P型硅衬底(1)和形成在P型硅衬底(1)上的栅电极(5)，P型硅衬底(1)具有N型阱层(2)、N型埋入层(3)、P型本体层(6)、形成在P型本体层(6)内的N型源极层(7)、以及形成在N型阱层(2)内的N型漏极接触层(8)，P型本体层(6)和N型源极层(7)通过用栅电极(5)作为掩模的自对准来形成，N型漏极接触层(8)隔着栅电极(5)下方的P型本体层(6)形成在与N型源极层(7)相反的一侧，N型埋入层(3)形成在P型本体层(6)下方。

公开(公告)号：CN1697197A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510070258.X

申请日：2005-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上真幸 ,  大平明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有寄生二极管、并且减小寄生PNP晶体管的hfe的低价的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括P型硅衬底(1)和形成在P型硅衬底(1)上的栅电极(5)，P型硅衬底(1)具有N型阱层(2)、N型埋入层(3)、P型本体层(6)、形成在P型本体层(6)内的N型源极层(7)、以及形成在N型阱层(2)内的N型漏极接触层(8)，P型本体层(6)和N型源极层(7)通过用栅电极(5)作为掩模的自对准来形成，N型漏极接触层(8)隔着栅电极(5)下方的P型本体层(6)形成在与N型源极层(7)相反的一侧，N型埋入层(3)形成在P型本体层(6)下方。