公开(公告)号：CN1697197A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510070258.X

申请日：2005-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上真幸 ,  大平明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有寄生二极管、并且减小寄生PNP晶体管的hfe的低价的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括P型硅衬底(1)和形成在P型硅衬底(1)上的栅电极(5)，P型硅衬底(1)具有N型阱层(2)、N型埋入层(3)、P型本体层(6)、形成在P型本体层(6)内的N型源极层(7)、以及形成在N型阱层(2)内的N型漏极接触层(8)，P型本体层(6)和N型源极层(7)通过用栅电极(5)作为掩模的自对准来形成，N型漏极接触层(8)隔着栅电极(5)下方的P型本体层(6)形成在与N型源极层(7)相反的一侧，N型埋入层(3)形成在P型本体层(6)下方。

公开(公告)号：CN100474622C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510070258.X

申请日：2005-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上真幸 ,  大平明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有寄生二极管、并且减小寄生PNP晶体管的hfe的低价的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括P型硅衬底(1)和形成在P型硅衬底(1)上的栅电极(5)，P型硅衬底(1)具有N型阱层(2)、N型埋入层(3)、P型本体层(6)、形成在P型本体层(6)内的N型源极层(7)、以及形成在N型阱层(2)内的N型漏极接触层(8)，P型本体层(6)和N型源极层(7)通过用栅电极(5)作为掩模的自对准来形成，N型漏极接触层(8)隔着栅电极(5)下方的P型本体层(6)形成在与N型源极层(7)相反的一侧，N型埋入层(3)形成在P型本体层(6)下方。

公开(公告)号：CN1316626C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03102938.8

申请日：2003-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下胜重 ,  西村久治 ,  山崎浩務 ,  井上真幸 ,  佐藤嘉展

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 提供一种SOI型半导体装置，它是一种至少包括在绝缘膜上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的半导体有源元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的半导体有源元件(60)，形成在由为上述斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了半导体有源元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了半导体有源元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。

公开(公告)号：CN1434518A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN03102938.8

申请日：2003-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下胜重 ,  西村久治 ,  山崎浩務 ,  井上真幸 ,  佐藤嘉展

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/84

Abstract: 提供一种小型SOI型半导体装置。它是一种至少包括在绝缘膜(2)上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的能动型半导体元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的能动型半导体元件(60)，形成在由为斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。