公开(公告)号：CN1201559A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN96197975.5

申请日：1996-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大户口勳 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  高森晃

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S3/1118 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0615 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 在一n型GaAS基底701上分别形成一n型GaAS缓冲层702,n型AlGaInP包层703,由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性,且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。

公开(公告)号：CN1117419C

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN96197975.5

申请日：1996-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大户口勳 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  高森晃

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S3/1118 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0615 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。