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公开(公告)号：CN1146091C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n-型GaAS制成的基底(201)，活性层(204)，和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命，借此即能获得稳定的自持脉动。结果，能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1901302A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106015.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
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公开(公告)号：CN1125519C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00106200.X
申请日：2000-05-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种半导体激光装置包括：第一导电型的半导体基片；基片上的第一导电型涂层；第一导电型涂层上的有源层，有源层具有超点阵结构，在激光腔端面附近有一无序化区；有源层上的第二导电型的第一涂层；第一涂层上的第二导电型的蚀刻停止层；蚀刻停止层上的第二导电型的第二涂层，第二涂层形成一凸脊结构，沿激光腔纵向伸展，具有预定宽度。蚀刻停止层中在激光腔端面附近的杂质浓度比激光腔内部的大，等于或小于约2×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN1933265B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610099759.5
申请日：2006-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087 , H01S2304/00
Abstract: 本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(1.5e18cm-3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm-3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1117419C
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN96197975.5
申请日：1996-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S3/1118 , H01S5/0601 , H01S5/0615 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347
Abstract: 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN100563069C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610106015.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层(101)、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层(102)、和第二导电型的第1覆层(103)在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层(104)、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层(105)、和第二导电型的第2覆层(106)在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层(103)的晶格常数及第二导电型的第2覆层(106)的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层(102)的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层(105)的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
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公开(公告)号：CN1933265A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610099759.5
申请日：2006-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087 , H01S2304/00
Abstract: 本发明揭示一种单片2波长半导体激光器及其制造方法，在单一衬底上配置红光半导体激光器和红外半导体激光器，并同时形成端面窗结构，其特征为：红外半导体激光器的第4包层(110)的氢浓度(1.5e18cm－3)高于第1半导体激光器的红光半导体激光器的第2包层(105)的氢浓度(1e18cm－3)，从而能实现红外半导体激光器的激活层中产生充分无序化的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1201559A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN96197975.5
申请日：1996-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S3/1118 , H01S5/0601 , H01S5/0615 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347
Abstract: 在一n型GaAS基底701上分别形成一n型GaAS缓冲层702,n型AlGaInP包层703,由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性,且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1179860A
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n－型GaAS制成的基底(201),活性层(204),和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命,借此即能获得稳定的自持脉动。结果,能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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