公开(公告)号：CN100461450C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510004037.2

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫口里江 ,  沟口修二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置备有：在硅基板S上形成的P型漏区域、低浓度P型漏区域(EPI)(1)、在低浓度漏区域(1)的上方形成的高浓度P型源区域(8)、在高浓度P型源区域(8)和低浓度P型漏区域(EPI)(1)之间形成的N型基板区域(3)、沟槽T、在沟槽T内部形成的栅极绝缘膜(4)和栅电极(5)、堵塞沟槽T的绝缘膜(7)、在N型基板区域(3)和高浓度P型源区域(8)之间形成的N型口袋区域(6)。由此，能提供穿通耐压高、阀电压Vt的控制范围广的沟槽栅极结构的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1658400A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510004037.2

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫口里江 ,  沟口修二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置备有：在硅基板S上形成的P型漏区域、低浓度P型漏区域(EPI)(1)、在低浓度漏区域(1)的上方形成的高浓度P型源区域(8)、在高浓度P型源区域(8)和低浓度P型漏区域(EPI)(1)之间形成的N型基板区域(3)、沟槽T、在沟槽T内部形成的栅极绝缘膜(4)和栅电极(5)、堵塞沟槽T的绝缘膜(7)、在N型基板区域(3)和高浓度P型源区域(8)之间形成的N型口袋区域(6)。由此，能提供穿通耐压高、阀电压Vt的控制范围广的沟槽栅极结构的半导体装置及其制造方法。