-
公开(公告)号：CN1808700A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510118633.3
申请日：2005-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够抑制因牺牲氧化工序和栅极氧化形成工序而引起的沟道区域的杂质浓度的下降，从而较容易地控制沟道区域的杂质浓度且获得所希望的Vt的半导体装置及其制造方法。通过在沟渠T的壁面上形成栅极绝缘膜4的工序之后，利用离子注入法形成为沟道区域的P型衬底区域3，来形成在深度方向上具有很陡的坡度的P型杂质浓度分布。
-
公开(公告)号：CN101106160A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710111896.0
申请日：2007-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 沟口修二
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种纵向型半导体器件及其制造方法。通过形成栅电极(10)使得在沟槽(6)上部留下凹部，同时在栅电极(10)上形成绝缘膜(11)来凹部充填到中途，来将源极区域(15)与布线层的接触部分设定在沟槽(6)的壁面，同时将主体区域(13)和(16)与布线层的接触部分设定在沟槽(6)的壁面以及主体区域(16)的上表面。因此，在该纵向型半导体器件中，在不使源极区域和布线层的接触部分的面积减小的情况下，使主体区域和布线层的接触部分的面积增大。
-
公开(公告)号：CN101032030A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580033111.1
申请日：2005-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 半导体衬底上形成了沟槽，沟槽具有为电连接设置了栅极电极的栅极电极部、栅极电极、和外部的布线的栅极引出部。在为将栅极电极与外部电连接的栅极引出部上，沟槽的终端部的宽度，形成的部沟槽的其他部分宽。
-
公开(公告)号：CN1812127A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129535.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808
Abstract: 本发明公开了一种纵型栅极半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型栅极半导体装置及其制造方法。发挥晶体管作用的第1区域11，具有：漏极区域111、形成在漏极区域111上侧的体区域112、形成在体区域112上侧的源极区域113A、和形成在体区域112中且被埋入了栅极电极120的沟渠。在延在于第2区域12的体区域112的上侧形成有源极区域113B。构成沟渠的上缘部的源极区域113A、113B形成为带圆弧状的形状。
-
公开(公告)号：CN1808726A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510118636.7
申请日：2005-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够防止漏极衬底接触之间导通的、可靠性较高的半导体装置及其制造方法。通过在高浓度p型衬底区域7和衬底表面区域的低浓度N型漏极区域2之间设置中浓度P型衬底区域13，来抑制从漏极区域延伸过来的耗尽层的扩大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1658400A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510004037.2
申请日：2005-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L29/1095 , H01L29/456 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置备有：在硅基板S上形成的P型漏区域、低浓度P型漏区域(EPI)(1)、在低浓度漏区域(1)的上方形成的高浓度P型源区域(8)、在高浓度P型源区域(8)和低浓度P型漏区域(EPI)(1)之间形成的N型基板区域(3)、沟槽T、在沟槽T内部形成的栅极绝缘膜(4)和栅电极(5)、堵塞沟槽T的绝缘膜(7)、在N型基板区域(3)和高浓度P型源区域(8)之间形成的N型口袋区域(6)。由此，能提供穿通耐压高、阀电压Vt的控制范围广的沟槽栅极结构的半导体装置及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN100502036C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200480038581.2
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/7808
Abstract: 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋人有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。
-
公开(公告)号：CN100461450C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510004037.2
申请日：2005-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L29/1095 , H01L29/456 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置备有：在硅基板S上形成的P型漏区域、低浓度P型漏区域(EPI)(1)、在低浓度漏区域(1)的上方形成的高浓度P型源区域(8)、在高浓度P型源区域(8)和低浓度P型漏区域(EPI)(1)之间形成的N型基板区域(3)、沟槽T、在沟槽T内部形成的栅极绝缘膜(4)和栅电极(5)、堵塞沟槽T的绝缘膜(7)、在N型基板区域(3)和高浓度P型源区域(8)之间形成的N型口袋区域(6)。由此，能提供穿通耐压高、阀电压Vt的控制范围广的沟槽栅极结构的半导体装置及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN1898801A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038581.2
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/7808
Abstract: 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋入有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。
-
公开(公告)号：CN100468774C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580033111.1
申请日：2005-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 半导体衬底上形成了沟槽，沟槽具有为电连接设置了栅极电极的栅极电极部、栅极电极、和外部的布线的栅极引出部。在为将栅极电极与外部电连接的栅极引出部上，沟槽的终端部的宽度，形成的部沟槽的其他部分宽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.027 seconds)
