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公开(公告)号：CN101897024A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120121.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。
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公开(公告)号：CN103210491A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201280003672.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化，其包括：形成电阻变化元件、接触孔（106）以及布线槽（108a）的工序；以及，以覆盖布线槽（108a）且不覆盖接触孔（106）的底面的方式，在层间绝缘层（102）以及（112）以及电阻变化层（104）上形成双向二极管元件的电流控制层（111）的工序。
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公开(公告)号：CN101878529A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200880118388.8
申请日：2008-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置的特征在于，具有：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成在第一通孔(4)中的第一电阻变化元件(5)和第一二极管元件的下部电极(6)；与第一配线(3)正交且由依次叠层有第一二极管元件的半导体层(7)、导电层(8)、第二二极管元件的半导体层(10)而成的多个层构成的第二配线(11)；埋入形成在第二通孔(13)中的第二电阻变化元件(16)和第二二极管元件的上部电极(14)；以及第三配线(17)，第二配线(11)的导电层(8)起到作为第一二极管元件(9)的上部电极和第二二极管元件(15)的下部电极的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103210491B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280003672.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化，其包括：形成电阻变化元件、接触孔（106）以及布线槽（108a）的工序；以及，以覆盖布线槽（108a）且不覆盖接触孔（106）的底面的方式，在层间绝缘层（102）以及（112）以及电阻变化层（104）上形成双向二极管元件的电流控制层（111）的工序。
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公开(公告)号：CN101878529B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880118388.8
申请日：2008-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置的特征在于，具有：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成在第一通孔(4)中的第一电阻变化元件(5)和第一二极管元件的下部电极(6)；与第一配线(3)正交且由依次叠层有第一二极管元件的半导体层(7)、导电层(8)、第二二极管元件的半导体层(10)而成的多个层构成的第二配线(11)；埋入形成在第二通孔(13)中的第二电阻变化元件(16)和第二二极管元件的上部电极(14)；以及第三配线(17)，第二配线(11)的导电层(8)起到作为第一二极管元件(9)的上部电极和第二二极管元件(15)的下部电极的作用。
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公开(公告)号：CN102484114B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201180003594.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L21/76879 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 包括：俯视时条状的多个第一配线(10)与条状的多个第二配线(20)的各个交点上，在层间绝缘层(80)中，以将多个第一配线的上表面开口的方式形成的多个存储单元孔(101)；在多个第一配线上形成且以到达多个第一配线的上表面的方式在层间绝缘层内形成的多个伪孔(111)；和在存储单元孔和伪孔内部形成的第一电极(30)和电阻变化层(40)的层叠结构。在1个伪孔的下侧开口部露出的第一配线的面积，比在1个存储单元孔的下侧开口部露出的第一配线的面积大，在各个第一配线形成有1个以上的伪孔。
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公开(公告)号：CN101897024B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880120121.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。
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公开(公告)号：CN102484114A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003594.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L21/76879 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 包括：俯视时条状的多个第一配线(10)与条状的多个第二配线(20)的各个交点上，在层间绝缘层(80)中，以将多个第一配线的上表面开口的方式形成的多个存储单元孔(101)；在多个第一配线上形成且以到达多个第一配线的上表面的方式在层间绝缘层内形成的多个伪孔(111)；和在存储单元孔和伪孔内部形成的第一电极(30)和电阻变化层(40)的层叠结构。在1个伪孔的下侧开口部露出的第一配线的面积，比在1个存储单元孔的下侧开口部露出的第一配线的面积大，在各个第一配线形成有1个以上的伪孔。
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