-
公开(公告)号：CN103003884B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280001452.0
申请日：2012-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/14 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C2013/0054 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种交叉点型非易失性存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。交叉点型非易失性存储装置具有：多个位线，与多个字线垂直；由存储单元构成的交叉点单元阵列（1），根据在其立体交差点配置的电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化；偏移检测单元阵列（2E），构成为包括偏移检测单元，该偏移检测单元的字线共通，具有比存储单元的高电阻状态下的电阻值高的电阻值；读出电路（读出放大器（7）等），利用在交叉点单元阵列（1）的选择位线中流过的电流判别选择存储单元的电阻状态；以及电流源（6），在读出动作的期间内，对偏移检测单元阵列供给电流。
-
公开(公告)号：CN103119716A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180036399.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/78 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种即使微细化也能够防止二极管的特性劣化及破坏的存储元件。有关本发明的存储元件（100）具备基板（10）、形成在基板之上的多个第1电极（11a、11b）、第2电极（12）及第3电极（13）、形成在多个第1电极与第2电极之间的电阻变化层（20）、以及形成在第2电极与第3电极之间的非导体层（30）。电阻变化层（20）包括形成在多个第1电极侧的高浓度电阻变化层（21）、以及形成在第2电极侧且氧浓度比高浓度电阻变化层（21）低的低浓度电阻变化层（22）。在存储元件（100）中，由第2电极、非导体层及第3电极构成二极管（100D），由多个第1电极、电阻变化层及第2电极构成与多个第1电极相同数量的多个电阻变化元件（100Ra、100Rb）。
-
公开(公告)号：CN102067314A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001717.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 辻清孝
CPC classification number: H01L45/1246 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供电阻变化元件，该电阻变化元件提高电阻变化动作的稳定性，且能降低刚制造后的初始状态的电阻变化元件最初进行低电阻化所需的电流。电阻变化元件包括：第一电极(101)；在第一电极上形成的存储器单元孔(150)；第一电阻变化层(201)，形成为覆盖存储器单元孔(150)的底部，且覆盖第一电极(101)的上面；第二电阻变化层(202)，形成为覆盖第一电阻变化层(201)；以及在存储器单元孔(150)上形成的第二电极(102)。第一电阻变化层(201)的在存储器单元孔(150)底的膜厚向存储器单元孔(150)的周边部连续减小，并在存储器单元孔(150)周边部附近成为极小值，并且第一电阻变化层(201)中的氧浓度比第二电阻变化层(202)中的氧浓度高。
-
公开(公告)号：CN103210491B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280003672.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化，其包括：形成电阻变化元件、接触孔（106）以及布线槽（108a）的工序；以及，以覆盖布线槽（108a）且不覆盖接触孔（106）的底面的方式，在层间绝缘层（102）以及（112）以及电阻变化层（104）上形成双向二极管元件的电流控制层（111）的工序。
-
公开(公告)号：CN103238185B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280003873.7
申请日：2012-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 辻清孝
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C8/08 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2213/15 , G11C2213/77
Abstract: 具备多条字线（2）、多条位线（3）、由通过存储单元（4）与偏置电流检测单元（5）构成的单元的集合体所构成的交叉点单元阵列（1）、字线选择电路（10）、位线选择电路（11）、写入控制电路（22）、以及检测电流并变换为电信号的电流读出电路（21），写入控制电路（22）调节写入用的电信号，以使高于第1写入电流的第2写入电流流经存储单元（4）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959636B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201280001450.1
申请日：2012-06-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1673 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C2013/0054 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种交叉点型的非易失性半导体存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。该非易失性半导体存储装置具有多个字线（2）、以与多个字线（2）立体交差的方式形成的多个位线（3）、以及由针对多个字线（2）与多个位线（3）的各个立体交差点设置的单元的集合体构成的交叉点单元阵列（1），单元的集合体包括：存储单元（4），该存储单元（4）包括存储元件，该存储元件进行根据电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化的存储动作；以及偏移检测单元（5），具有比存储元件进行存储动作时的高电阻状态下的存储元件的电阻值高的固定的电阻值。
-
公开(公告)号：CN102484114B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201180003594.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L21/76879 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 包括：俯视时条状的多个第一配线(10)与条状的多个第二配线(20)的各个交点上，在层间绝缘层(80)中，以将多个第一配线的上表面开口的方式形成的多个存储单元孔(101)；在多个第一配线上形成且以到达多个第一配线的上表面的方式在层间绝缘层内形成的多个伪孔(111)；和在存储单元孔和伪孔内部形成的第一电极(30)和电阻变化层(40)的层叠结构。在1个伪孔的下侧开口部露出的第一配线的面积，比在1个存储单元孔的下侧开口部露出的第一配线的面积大，在各个第一配线形成有1个以上的伪孔。
-
公开(公告)号：CN102484114A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003594.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L21/76879 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 包括：俯视时条状的多个第一配线(10)与条状的多个第二配线(20)的各个交点上，在层间绝缘层(80)中，以将多个第一配线的上表面开口的方式形成的多个存储单元孔(101)；在多个第一配线上形成且以到达多个第一配线的上表面的方式在层间绝缘层内形成的多个伪孔(111)；和在存储单元孔和伪孔内部形成的第一电极(30)和电阻变化层(40)的层叠结构。在1个伪孔的下侧开口部露出的第一配线的面积，比在1个存储单元孔的下侧开口部露出的第一配线的面积大，在各个第一配线形成有1个以上的伪孔。
-
公开(公告)号：CN103119716B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180036399.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/78 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种即使微细化也能够防止二极管的特性劣化及破坏的存储元件。有关本发明的存储元件（100）具备基板（10）、形成在基板之上的多个第1电极（11a、11b）、第2电极（12）及第3电极（13）、形成在多个第1电极与第2电极之间的电阻变化层（20）、以及形成在第2电极与第3电极之间的非导体层（30）。电阻变化层（20）包括形成在多个第1电极侧的高浓度电阻变化层（21）、以及形成在第2电极侧且氧浓度比高浓度电阻变化层（21）低的低浓度电阻变化层（22）。在存储元件（100）中，由第2电极、非导体层及第3电极构成二极管（100D），由多个第1电极、电阻变化层及第2电极构成与多个第1电极相同数量的多个电阻变化元件（100Ra、100Rb）。
-
公开(公告)号：CN103238185A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003873.7
申请日：2012-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 辻清孝
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C8/08 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2213/15 , G11C2213/77
Abstract: 具备多条字线（2）、多条位线（3）、由通过存储单元（4）与偏置电流检测单元（5）构成的单元的集合体所构成的交叉点单元阵列（1）、字线选择电路（10）、位线选择电路（11）、写入控制电路（22）、以及检测电流并变换为电信号的电流读出电路（21），写入控制电路（22）调节写入用的电信号，以使高于第1写入电流的第2写入电流流经存储单元（4）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.032 seconds)
