公开(公告)号：CN1159770C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN99107965.5

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在延长漏极区(3)内部，形成P型埋入区(2)。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区(3)通过用离子注入法或POCl3扩散法，往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质，而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时，由于漏极电流流过N型高浓度区(1)，所以通态电阻被减小了。

公开(公告)号：CN100345307C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310124832.6

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第一导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。

公开(公告)号：CN1518126A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310124832.6

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。