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公开(公告)号：CN101540475A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910126852.4
申请日：2009-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明实现氮化物半导体发光元件在高功率运行时的长期稳定运行。氮化物半导体发光元件具备氮化物半导体的多层膜。氮化物半导体的多层膜设置在基板上，由氮化物半导体结晶构成，含有发光层。在该氮化物半导体的多层膜上形成共振器的端面，在该端面的至少一个上设有由氮化铝结晶构成的保护膜。保护膜具有结晶轴与构成设有保护膜的共振面的端面的氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484354B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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公开(公告)号：CN111133643A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880059947.6
申请日：2018-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 持田笃范
IPC: H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(10)：具备基板(101)；以及激光阵列部(11)，具有排列配置的多个发光部(141)，并且层叠在基板(101)的上方，基板(101)与激光阵列部(11)的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面(140f以及140r)，在多个发光部(141)之中的相邻的两个发光部(141)之间，在一对谐振器端面(140f以及140r)的至少一方形成有从激光阵列部(11)延伸到基板(101)的中途的槽部(133)。
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公开(公告)号：CN104247173B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380018174.4
申请日：2013-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/32 , H01S5/02212 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具备包含III族氮化物半导体、且具有发光端面的半导体层叠体(50)；和以覆盖半导体层叠体(50)的发光端面的方式形成的、具有多个绝缘性膜的多层保护膜(30)。多层保护膜(30)具有第一保护膜(31)和覆盖该第一保护膜(31)的第二保护膜(32)。第一保护膜(31)包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。第二保护膜(32)包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。
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公开(公告)号：CN104247173A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380018174.4
申请日：2013-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/32 , H01S5/02212 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具备包含III族氮化物半导体、且具有发光端面的半导体层叠体(50)；和以覆盖半导体层叠体(50)的发光端面的方式形成的、具有多个绝缘性膜的多层保护膜(30)。多层保护膜(30)具有第一保护膜(31)和覆盖该第一保护膜(31)的第二保护膜(32)。第一保护膜(31)包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。第二保护膜(32)包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。
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公开(公告)号：CN102484354A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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