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公开(公告)号：CN102484354B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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公开(公告)号：CN103459549A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015561.8
申请日：2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/02 , C09K11/70 , H01L31/02322 , Y10T428/25
Abstract: 本发明的荧光薄膜的特征为，在分散并保持半导体微粒的透明树脂层中，半导体微粒是因粒径不同而激发荧光谱不同的量子点荧光体，透明树脂由水溶性或水分散性的材料构成。据此，能够高密度并均匀地分散半导体微粒，能够提供在薄膜中均匀性也高的、高亮度且高效率、具有高显色性的荧光薄膜。
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公开(公告)号：CN103443941A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015415.5
申请日：2012-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , B82Y20/00 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 具备：封装体，由树脂构成，且具有凹部；引线框架(11)，在凹部的底面露出；半导体发光元件(14)，被设置在凹部内的引线框架(11)；树脂层(17)，被形成为与凹部内的引线框架(11)接触且覆盖凹部的底面；以及量子点荧光体层(19)，被形成在树脂层(17)以及半导体发光元件(14)上，树脂层(17)具有陶瓷微粒子(15)，量子点荧光体层(19)包含因粒子径不同而激励荧光谱不同的半导体微粒子、以及分散并保持半导体微粒子的树脂。
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公开(公告)号：CN1898538B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580001407.5
申请日：2005-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 红外线传感器，包括：各自显示规定电容值的串联电容元件和参照电容元件，电容值根据射入元件中的红外线强度而变化的红外线检测电容元件，以及是串联电容元件的一个端子、参照电容元件的一个端子及红外线检测电容元件的一个端子相互连接起来的节点的输出节点。通过在串联电容元件的其他端子与参照电容元件的其他端子之间施加规定电压，来以输出节点的电位作为基准电位；通过在串联电容元件的其他端子与红外线检测电容元件的其他端子之间施加规定电压，来以所述输出节点的电位作为检测电位；作为基准电位与检测电位的电位差输出红外线强度。
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公开(公告)号：CN104247173B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380018174.4
申请日：2013-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/32 , H01S5/02212 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具备包含III族氮化物半导体、且具有发光端面的半导体层叠体(50)；和以覆盖半导体层叠体(50)的发光端面的方式形成的、具有多个绝缘性膜的多层保护膜(30)。多层保护膜(30)具有第一保护膜(31)和覆盖该第一保护膜(31)的第二保护膜(32)。第一保护膜(31)包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。第二保护膜(32)包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104247173A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380018174.4
申请日：2013-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/32 , H01S5/02212 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具备包含III族氮化物半导体、且具有发光端面的半导体层叠体(50)；和以覆盖半导体层叠体(50)的发光端面的方式形成的、具有多个绝缘性膜的多层保护膜(30)。多层保护膜(30)具有第一保护膜(31)和覆盖该第一保护膜(31)的第二保护膜(32)。第一保护膜(31)包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。第二保护膜(32)包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。
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公开(公告)号：CN104067463A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006376.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/024
CPC classification number: H01S5/02469 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01S5/0208 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02256 , H01S5/02272 , H01S5/02484 , H01S5/0425 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置具备：分别由绝缘性部件构成且相互对置地热连接的第1热沉(20)及第2热沉(30)、和半导体发光元件(10)。半导体发光元件被保持于第1热沉与第2热沉之间的空隙部(31c)内。第2热沉在与第1热沉的对置面具有第1电极及第2电极，在对置面的背面具有第3电极及第4电极，第1电极与发光元件的下部电极连接，第2电极与发光元件的上部电极连接。第1电极与第3电极连接、第2电极与第4电极被连接。
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公开(公告)号：CN103650183A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280030969.2
申请日：2012-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/8592 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提出能够在采用了半导体发光元件与荧光体的发光装置中抑制荧光体的劣化的发光装置，发光装置具备：封装(10)；安装在封装(10)上的半导体发光元件(5)；设置在封装(10)上的盖构件(50)；封闭封装(10)与盖构件(50)之间的空间的密封构件(30)；含有配置在被封闭的空间中的荧光体的荧光体含有树脂(40)。
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公开(公告)号：CN102484354A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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公开(公告)号：CN103907249A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052274.4
申请日：2012-05-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/30 , H01L23/045 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/12044 , H01S5/005 , H01S5/02 , H01S5/02212 , H01S5/02224 , H01S5/02276 , H01S5/02296 , H01S5/024 , H01S5/02469 , H01S5/02492 , H01S5/2224 , H01S5/32341 , H01S5/4018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，其具备：氮化物半导体发光元件(3)；保持氮化物半导体发光元件(3)且以第一金属为主成分的基台(11)；固着于基台(11)的帽(30)；形成于基台(11)的开口部(11c)；通过开口部(11c)的引针(14a、14b)，并且，引针(14a、14b)以从该引针(14a、14b)侧顺次将绝缘构件(18a、18b)和缓冲构件(20a，20b)夹在该引针(14a、14b)与开口部(11c)的内壁之间的方式被固定于开口部(11c)的内壁，绝缘构件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。缓冲构件(20a、20b)由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。
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