公开(公告)号：CN102804922A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080024449.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢代阳一郎 ,  新井康司 ,  森聪 ,  栗屋丰 ,  奥田晃

IPC: H05B33/28 ,  C23C14/08 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件，其具备：基板、在所述基板上从所述基板侧起依次设置的阳极、有机发光层、包含电阻率彼此不同的下层阴极及上层阴极的2层以上的叠层阴极，所述下层阴极及所述上层阴极的主要成分是ITO、IZO、GZO、AZO的任意一种，并且，所述叠层阴极之中的最靠近于所述有机发光层的下层阴极的电阻率高于与所述下层阴极邻接且与所述下层阴极相比距所述有机发光层较远的上层阴极的电阻率。

公开(公告)号：CN103140918A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201280003095.1

申请日：2012-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新井康司 ,  田边浩 ,  谷口泰士

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6776

Abstract: 本发明的课题在于提供将与半导体基板产生发热反应的气体用作蚀刻气体，且能应对批量生产的对半导体基板进行蚀刻的装置。本发明的半导体基板的表面蚀刻装置包括：加载互锁真空室；蚀刻室，其能够减压至大气压以下；卸载互锁真空室；输送机构，其用于将收纳有半导体基板的托盘从所述加载互锁真空室经由所述蚀刻室输送到所述卸载互锁真空室为止；以及冷却机构，其冷却所述半导体基板和/或所述托盘，其中，在所述蚀刻室中具有多个喷嘴，该多个喷嘴用于对收纳在所述托盘上的半导体基板表面喷射蚀刻气体。

公开(公告)号：CN100501887C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN03131007.9

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新井康司 ,  山田雄一郎

IPC: H01G4/30 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49798

Abstract: 本发明提供一种能够实现小型化并且高电容化的层压电容器，另外，本发明还提供一种层压电容器的制造方法，其特征在于，具有：在同一真空槽内，形成电介质的工序；处理电介质的表面的工序；在金属电极上形成图形的工序；形成金属电极的工序；处理金属电极表面的工序；以及蚀刻电介质层并使由电绝缘部产生的凹部平整化的工序。

公开(公告)号：CN1461024A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03131007.9

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新井康司 ,  山田雄一郎

IPC: H01G4/30 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49798

Abstract: 本发明提供一种能够实现小型化并且高电容化的层压电容器，另外，本发明还提供一种层压电容器的制造方法，其特征在于，具有：在同一真空槽内，形成电介质的工序；处理电介质的表面的工序；在金属电极上形成图形的工序；形成金属电极的工序；处理金属电极表面的工序；以及蚀刻电介质层并使由电绝缘部产生的凹部平整化的工序。