非易失性存储装置、存储控制器以及不良区域检测方法

    公开(公告)号:CN101243417B

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN200680029679.0

    申请日:2006-07-13

    CPC classification number: G06F11/1068

    Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置、存储控制器以及不良区域检测方法,其目的在于为了限制在闪速存储器内发生了固有不良的物理块,准确地检测出该物理块,在ECC错误记录中,记录物理块的错误的发生历史或物理清除的历史,判断所发生的错误是偶发性的还是由固有不良引起的。在最初的读出错误发生以后,如果在物理清除后改写的数据中没有再次发生错误,则判断为最初的错误是偶发性的,如果再次发生错误,则判断为是由固有不良引起的错误。通过使用这样的ECC错误记录,能够准确地判断是偶发性错误还是由固有不良引起的错误。根据该判断,不使用固有不良的物理块,由此能够产生降低读出错误这样的效果。

    非易失性存储器装置的控制方法

    公开(公告)号:CN101231618A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810005829.5

    申请日:2003-09-29

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/1032 G11C16/102 G11C16/16

    Abstract: 提供一种非易失性存储器装置的控制方法,在数据写入中或清除中发生电源切断等的异常而处理中断了的情况下,也能正常地进行下一次启动后的数据写入。本发明的非易失性存储器装置的控制方法具有:第一标记写入步骤,在向由多个物理块构成的非易失性存储器中写入数据时,在位于物理块的起始页的冗余区域中的、示出该起始页中是否写入着数据的第一标记中,写入示出写入着数据的固定值;数据写入步骤,向该物理块写入数据。

    用于将数据写入快闪存储设备的半导体存储器的装置和方法

    公开(公告)号:CN101114255A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200710147227.9

    申请日:2003-08-25

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7203

    Abstract: 从写目标页的逻辑地址中识别源块(B0)和该写目标页的逻辑页号(“8”)。将要被写入的数据对象(DN8、DN9……DN12)(主机将其存储在页缓冲器(2)中)从该顶页(Q0)开始顺次被写入目的块(Bn)的各页(Q0、Q1……Q4)的数据区(DA)。该写目标页的逻辑页号(“8”)被写入该顶页(Q0)的冗余区(RA)。根据该写目标页的逻辑页号(“8”)和该源块(B0)的页偏移量(“2”),来识别该写目标页的物理页号(“6=8-2”)。当被该主机通知这些数据对象(DN8……DN12)的发送结束时,从以循环方式位于该写目标页(P6)后面的这些数据对象(DN8……DN12)的页数(“5”)的那一页(P11)开始,该源块(B0)中的数据项(D13……D31、D0、D1……D7)经由该页缓冲器(2)被顺序地、循环地传送到该目的块(Bn)中的各页(Q5、Q6……Q31)。

    非易失性存储装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN1214326C

    公开(公告)日:2005-08-10

    申请号:CN02802772.8

    申请日:2002-08-16

    CPC classification number: G06F12/0246

    Abstract: 提供利用缩短初始化时间改善便携设备方便性的非易失性存储装置及其控制方法。初始化时的数据有效性表编制中,首先控制部读出有效性标记和第2变换表。该标记有效时,第2变换表上的逻辑块也有效。因此,第4表编制手段可在数据有效性表将第2变换表上的全部逻辑块设定为有效。第4表编制手段利用这样进行1次读出能设定多个逻辑块。而且对已经在数据有效性设定为有效的部分逻辑块可省略数据有效性标记的读出,进至下1部分逻辑块的处理。

    用于将数据写入快闪存储设备的半导体存储器的装置和方法

    公开(公告)号:CN1585930A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN03801476.9

    申请日:2003-08-25

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7203

    Abstract: 从写目标页的逻辑地址中识别源块(B0)和该写目标页的逻辑页号(“8”)。将要被写入的数据对象(DN8、DN9……DN12)(主机将其存储在页缓冲器(2)中)从该顶页(Q0)开始顺次被写入目的块(Bn)的各页(Q0、Q1……Q4)的数据区(DA)。该写目标页的逻辑页号(“8”)被写入该顶页(Q0)的冗余区(RA)。根据该写目标页的逻辑页号(“8”)和该源块(B0)的页偏置(“2”),来识别该写目标页的物理页号(“6=8-2”)。当被该主机通知这些数据对象(DN8……DN12)的发送结束时,从以循环方式位于该写目标页(P6)后面的这些数据对象(DN8……DN12)的页数(“5”)的那一页(P11)开始,该源块(B0)中的数据项(D13……D31、D0、D1……D7)经由该页缓冲器(2)被顺序地、循环地传送到该目的块(Bn)中的各页(Q5、Q6……Q31)。

    半导体器件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1155062C

    公开(公告)日:2004-06-23

    申请号:CN97190579.7

    申请日:1997-04-18

    CPC classification number: H01L28/55 H01L28/60

    Abstract: 本发明是在强电介质存储器件中,可以缓和构成强电介质电容器110a1~110a3,110b1~110b3的下部电极111a,111b及该下部电极的热应力对在其上边形成的强电介质层113的影响,并以此来抑制连接到上述下部电极上的其它的布线106a1、106a2等因该下部电极的热应力而产生断线或者下部电极加在上述强电介质层上的热应力而引起的强电介质电容器的特性离散或特性变动。其方案是把上述下部电极111a和111b做成为如下的构造:在多个部位进行弯曲使得其平面形状变成为锯齿状,而且,分割成多个布线部分111a1、111a2和111b1、111b2。

    非易失性存储器装置的控制方法

    公开(公告)号:CN101231618B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN200810005829.5

    申请日:2003-09-29

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/1032 G11C16/102 G11C16/16

    Abstract: 提供一种非易失性存储器装置的控制方法,在数据写入中或清除中发生电源切断等的异常而处理中断了的情况下,也能正常地进行下一次启动后的数据写入。本发明的非易失性存储器装置的控制方法具有:第一标记写入步骤,在向由多个物理块构成的非易失性存储器中写入数据时,在位于物理块的起始页的冗余区域中的、示出该起始页中是否写入着数据的第一标记中,写入示出写入着数据的固定值;数据写入步骤,向该物理块写入数据。

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