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公开(公告)号：CN101171679A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680015463.9
申请日：2006-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0207 , G09G3/296 , G09G2310/0289 , G09G2330/04 , H01L24/05 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L27/11803 , H01L2224/05554 , H01L2924/01004 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。在半导体芯片上具有多个分别包括垫的电路单元。电路单元包括：由高边晶体管、电平位移电路、低边晶体管、预驱动器以及垫。高边晶体管和低边晶体管夹着垫相向而设。
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公开(公告)号：CN1575086A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410056726.3
申请日：1999-12-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B41/295
CPC classification number: H05B41/2828 , H05B41/2983 , Y10S315/05
Abstract: 本发明涉及的荧光灯点亮装置具有由来自驱动信号发生电路的高压侧的脉冲输入进行驱动的第1开关手段(M1)、与来自驱动信号发生电路的低压侧的脉冲输入进行驱动的第2开关手段(M2)，第1开关手段(M1)与第2开关手段(M2)串联连接，在灯管(4)的1对灯丝电极的高压侧端子之间设置第1电容器(C5)、电感元件(L1)及所述第2开关手段，能够在点亮后即保持一定的光束。
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公开(公告)号：CN101079231B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200710105076.0
申请日：2007-05-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/296 , G09G3/293 , G09G2310/0275 , G09G2330/06
Abstract: 提供用于多沟道半导体集成电路，使输出端子的状态安定的驱动电压供给电路。该驱动电压供给电路，包括：第一布线(L1)、第二布线(L2)、第一驱动电路(7)、多个第二驱动电路(8)、驱动第一驱动电路(7)和多个驱动电路(8)的控制电路、连接在第一布线(L1)和各个输出端子(11)之间的阻抗元件(12A)。
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公开(公告)号：CN101399002A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810168915.8
申请日：2008-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/296 , G09G3/293 , G09G3/2948 , G09G2310/0218 , G09G2310/066 , G09G2330/028
Abstract: 一种电容性负荷驱动电路和等离子体显示面板，其中扫描驱动部(202)包括：移位寄存器部(11)，接受扫描数据信号(8)和扫描时钟信号(9)；多个脉冲宽度控制电路(211)，分别接受移位寄存器部(11)的输出信号和负极性脉冲宽度控制信号(220)，分别输出使用负极性脉冲宽度控制信号(220)控制了脉冲宽度的信号；消隐部(12)，接受多个脉冲宽度控制电路(211)的输出信号和消隐信号(10)；以及多个高电压输出部，对通过消隐部(12)输入的多个脉冲宽度控制电路(211)的各输出信号进行放大，将控制了脉冲宽度的负极性脉冲依次输出到扫描电极。由此提供一种能够与时钟频率的上升对应，并且能够分别调整施加到扫描电极的负极性脉冲的宽度的PDP。
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公开(公告)号：CN101278388A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680035974.7
申请日：2006-11-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。在半导体芯片上包括多个电路单元，该多个电路单元沿着半导体芯片的第一芯片边形成，多个电路单元中的每一个电路单元都具有垫。该半导体集成电路包括形成在所述多个电路单元上的高压电位用布线。所述高压电位用布线具有布线宽度在长度方向上自中央部朝着端部增宽的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100401353C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510009154.8
申请日：2005-02-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/73 , G05F3/30 , H01L27/0635 , H01L29/0619 , H01L29/0692
Abstract: 本发明涉及半导体装置。采用带隙电路，该电路使用将电源电压连接于集电极的NPN晶体管(10、12)，将NPN晶体管(10、12)的晶体管活性区域与构成其他信号处理电路的半导体元件集成于同一高电压浮置块(19)内。这样，可紧凑地集成信号处理电路所用的基准电压电路。
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公开(公告)号：CN1744175A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510097814.2
申请日：2005-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使自低压电源供给的电源电压VDD比推荐工作电源电压低，也能够防止CMOS输出部的穿通电流发生的驱动电路。该驱动电路包括：电平移位部(13)和CMOS输出部(14)，其中电平移位部(13)具有源极与高压电源连接、漏极与IN4连接、栅极与IN5连接的P型MOS晶体管(2)，源极与高压电源连接、漏极与IN5连接、栅极与IN4连接的P型MOS晶体管(3)，源极接地、漏极与IN4连接、栅极接收低压信号的N型MOS晶体管(5)，以及源极接地、漏极与IN5连接的N型MOS晶体管(6)；CMOS输出部(14)具有P型MOS晶体管(1)及N型MOS晶体管(4)；P型MOS晶体管(2)的驱动电流比N型MOS晶体管(5)的驱动电流大。
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公开(公告)号：CN101278389B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200680036056.6
申请日：2006-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。在半导体芯片上包括多个电路单元，该多个电路单元沿着半导体芯片的第一芯片边形成，多个电路单元中的每一个电路单元都具有垫。多个电路单元中位于第一芯片边的至少端部附近的一个以上的电路单元朝着从第一芯片边的中央部开始越靠近端部离第一芯片边越远的方向呈阶梯状地错开布置着。
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公开(公告)号：CN101341588B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780000765.3
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的半导体集成电路器件，即使在导电引线彼此之间产生短路时，也能够抑制焊丝的温度上升，使半导体集成电路器件的可靠性提高。为此，本发明将从外部电源向半导体集成电路芯片的电源部供给电源用的树脂封装的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘，利用多条焊丝连接。再有，将与GND连接并向半导体集成电路芯片的电源部供给接地电位用的树脂封装的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘，利用多条焊丝连接。
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公开(公告)号：CN101282115A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810083556.6
申请日：2008-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03K19/007 , H03K17/08 , H03K17/687 , G09G3/28
CPC classification number: H03K3/35613
Abstract: 本发明公开了一种多沟道半导体集成电路。该半导体集成电路包括：高侧晶体管、低侧晶体管、驱动高侧晶体管的电平位移电路以及驱动低侧晶体管的预驱动电路，且以高侧晶体管与低侧晶体管的连接点作为输出端。电平位移电路还包括：栅极被预驱动电路驱动的第一及第二N型MOS晶体管、以及阳极连接在未连接高侧晶体管的栅极的第一及第二N型MOS晶体管的漏极上且阴极连接在输出端的二极管。
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