公开(公告)号：CN100454436C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410048571.9

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林惠美 ,  大田清人 ,  山崎裕之

IPC: G11C11/407 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C11/401 ,  G11C29/24

Abstract: 一种半导体存储装置，既控制由于冗余元件引起的电路面积增大，又可得到救助效率优良的冗余救助方法。在半导体存储装置中，设置了具有各自交错的复数个字线及复数个位线对(BL，/BL)、设置在各字线和位线对的每一个交叉部分上的复数个存储单元(17)、并且与各个位线对对应设置的具有复数个读取放大器(18)的复数个存储块(11)。设置了在各存储块(11)上介于开关晶体管(16)连接的复数个共通数据总线对DB，/DB，对各存储块11介于各共通数据总线对进行读出操作及写入操作的读写放大器14，设置了各共同数据总线对介于各自开关晶体管电连接的SRAM元件(19)。

公开(公告)号：CN1574083A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048571.9

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林惠美 ,  大田清人 ,  山崎裕之

IPC: G11C11/407 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C11/401 ,  G11C29/24

Abstract: 一种半导体存储装置，既控制由于冗余元件引起的电路面积增大，又可得到救助效率优良的冗余救助方法。在半导体存储装置中，设置了具有各自交错的复数个字线及复数个位线对(BL，/BL)、设置在各字线和位线对的每一个交叉部分上的复数个存储单元(17)、并且与各个位线对对应设置的具有复数个读取放大器(18)的复数个存储块(11)。设置了在各存储块(11)上介于开关晶体管(16)连接的复数个共通数据总线对DB，/DB，对各存储块11介于各共通数据总线对进行读出操作及写入操作的读写放大器14，设置了各共同数据总线对介于各自开关晶体管电连接的SRAM元件(19)。