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公开(公告)号：CN1421930A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152792.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/071
Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括：充电电路，向负电压节点输出设定的负电压；电压检测电路，当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号，当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号；环状振荡器，由上述第一检测信号驱动，产生驱动上述充电电路的信号；负电压升压电路，由上述的二检测信号驱动，具有接在上述负电压节点的输出端子，通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升，通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。
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公开(公告)号：CN101034584A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086267.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C5/02 , H01L27/02 , H01L27/118
Abstract: 在构成大容量DRAM作为硬核的情况下，随着工艺细微化，防止与控制电路群的细微化相伴的比例不均衡引起的面积效率、性能、布线效率降低的因素。存储阵列区域与控制区域接触，并且，从平面上看以凸形配置。由此，在大容量的DRAM等存储器中，能够得到设计面积最优化、降低成本的效果。即，大容量的DRAM与需要各种大小变化的ROM、SRAM不同，限制安装个数，在半导体装置中所占的比例也较大，所以，着眼于四角形不是容易配置的必要条件的情况，可提供一种硬核，通过对面积效率、布线效率进行最优化来构成大容量的DRAM，并且，在实现系统LSI后也容易进行版面设计。
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公开(公告)号：CN1516193A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310123125.5
申请日：2003-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1085 , G11C11/404 , H01L27/10805 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 一种半导体存储装置，在用存取Tr(103)及单元电容器(104)构成的DRAM存储单元中，存取Tr(103)及单元电容器(104)使用耗尽型MOSFET；与过去相比，可扩大动作余量，需要的电源数亦可比过去减少。从而可提供一种电源电压即使低电压化亦可动作，可用简单构成实现，且容易用逻辑加工形成的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN1574083A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048571.9
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808 , G11C11/401 , G11C29/24
Abstract: 一种半导体存储装置，既控制由于冗余元件引起的电路面积增大，又可得到救助效率优良的冗余救助方法。在半导体存储装置中，设置了具有各自交错的复数个字线及复数个位线对(BL，/BL)、设置在各字线和位线对的每一个交叉部分上的复数个存储单元(17)、并且与各个位线对对应设置的具有复数个读取放大器(18)的复数个存储块(11)。设置了在各存储块(11)上介于开关晶体管(16)连接的复数个共通数据总线对DB，/DB，对各存储块11介于各共通数据总线对进行读出操作及写入操作的读写放大器14，设置了各共同数据总线对介于各自开关晶体管电连接的SRAM元件(19)。
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公开(公告)号：CN101034584B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200710086267.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C5/02 , H01L27/02 , H01L27/118
Abstract: 半导体存储装置以及半导体装置；在构成大容量DRAM作为硬核的情况下，随着工艺细微化，防止与控制电路群的细微化相伴的比例不均衡引起的面积效率、性能、布线效率降低的因素。存储阵列区域与控制区域接触，并且，从平面上看以凸形配置。由此，在大容量的DRAM等存储器中，能够得到设计面积最优化、降低成本的效果，即，大容量的DRAM与需要各种大小变化的ROM、SRAM不同，限制安装个数，在半导体装置中所占的比例也较大，所以，着眼于四角形不是容易配置的必要条件的情况，可提供一种硬核，通过对面积效率、布线效率进行最优化来构成大容量的DRAM，并且，在实现系统LSI后也容易进行版面设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454436C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410048571.9
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808 , G11C11/401 , G11C29/24
Abstract: 一种半导体存储装置，既控制由于冗余元件引起的电路面积增大，又可得到救助效率优良的冗余救助方法。在半导体存储装置中，设置了具有各自交错的复数个字线及复数个位线对(BL，/BL)、设置在各字线和位线对的每一个交叉部分上的复数个存储单元(17)、并且与各个位线对对应设置的具有复数个读取放大器(18)的复数个存储块(11)。设置了在各存储块(11)上介于开关晶体管(16)连接的复数个共通数据总线对DB，/DB，对各存储块11介于各共通数据总线对进行读出操作及写入操作的读写放大器14，设置了各共同数据总线对介于各自开关晶体管电连接的SRAM元件(19)。
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公开(公告)号：CN100373501C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200310123125.5
申请日：2003-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体存储装置，在用存取Tr(103)及单元电容器(104)构成的DRAM存储单元中，存取Tr(103)及单元电容器(104)使用耗尽型MOSFET；与过去相比，可扩大动作余量，需要的电源数亦可比过去减少。从而可提供一种电源电压即使低电压化亦可动作，可用简单构成实现，且容易用逻辑加工形成的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN1194411C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02152792.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/071
Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括：充电电路，向负电压节点输出设定的负电压；电压检测电路，当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号，当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号；环状振荡器，由上述第一检测信号驱动，产生驱动上述充电电路的信号；负电压升压电路，由上述的二检测信号驱动，具有接在上述负电压节点的输出端子，通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升，通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。
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公开(公告)号：CN1252732C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01131034.0
申请日：2001-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/10 , G11C2207/104
Abstract: 一种半导体集成电路器件，它包括：形成在P型半导体区域内的N型第1阱；多条字线；多条数据线；多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列；和多条数据线耦合的传感放大器的列；驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入，将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。
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公开(公告)号：CN1342983A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01131034.0
申请日：2001-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/10 , G11C2207/104
Abstract: 一种半导体集成电路器件,它包括:形成在P型半导体区域内的N型第1阱;多条字线;多条数据线;多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列;和多条数据线耦合的传感放大器的列;驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入,将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。
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