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公开(公告)号：CN1527323B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410007488.7
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/12 , G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件，可同时实现位线预充电动作的高速化以及缩小布图面积。在位线预充电电压发生装置中所包含的预充电电压激励电路(105)中，设置了起开关作用的P沟道晶体管(206、207)。这样，提高了激励的效率，减小了用于激励的电容器(200)的电容面积。
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公开(公告)号：CN100454436C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410048571.9
申请日：2004-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/808 , G11C11/401 , G11C29/24
Abstract: 一种半导体存储装置，既控制由于冗余元件引起的电路面积增大，又可得到救助效率优良的冗余救助方法。在半导体存储装置中，设置了具有各自交错的复数个字线及复数个位线对(BL，/BL)、设置在各字线和位线对的每一个交叉部分上的复数个存储单元(17)、并且与各个位线对对应设置的具有复数个读取放大器(18)的复数个存储块(11)。设置了在各存储块(11)上介于开关晶体管(16)连接的复数个共通数据总线对DB，/DB，对各存储块11介于各共通数据总线对进行读出操作及写入操作的读写放大器14，设置了各共同数据总线对介于各自开关晶体管电连接的SRAM元件(19)。
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公开(公告)号：CN1194411C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02152792.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/071
Abstract: 一种半导体集成电路装置，包括：充电电路，向负电压节点输出设定的负电压；电压检测电路，当上述负电压节点的电压达到第一检测电压时产生第一检测信号，当上述负电压节点的电压达到第二检测电压时产生第二检测信号；环状振荡器，由上述第一检测信号驱动，产生驱动上述充电电路的信号；负电压升压电路，由上述的二检测信号驱动，具有接在上述负电压节点的输出端子，通过上述输出端子的输出使负电压节点的电压上升。可以使VBB电压迅速上升，通过快速地控制VBB电压提高电压的稳定度。
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公开(公告)号：CN101042927A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710091645.0
申请日：2002-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C7/18 , H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10882 , G11C7/02 , G11C7/18 , H01L23/5225 , H01L27/10885 , H01L27/10897 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体记忆装置，包括放大互补位线对的电压差的读出放大电路；构成上述读出放大电路的P沟道型或者N沟道型的配对晶体管的两个栅电极在同一活性区域中相互平行形成；上述两个栅电极的栅长被设定为上述活性区域的两端部分比中央部分长。
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公开(公告)号：CN1252732C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01131034.0
申请日：2001-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/10 , G11C2207/104
Abstract: 一种半导体集成电路器件，它包括：形成在P型半导体区域内的N型第1阱；多条字线；多条数据线；多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列；和多条数据线耦合的传感放大器的列；驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入，将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1527323A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007488.7
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/12 , G11C11/4074 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件，可同时实现位线预充电动作的高速化以及缩小布图面积。在位线预充电电压发生装置中所包含的预充电电压激励电路(105)中，设置了起开关作用的P沟道晶体管(206、207)。这样，提高了激励的效率，减小了用于激励的电容器(200)的电容面积。
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公开(公告)号：CN1342983A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01131034.0
申请日：2001-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/10 , G11C2207/104
Abstract: 一种半导体集成电路器件,它包括:形成在P型半导体区域内的N型第1阱;多条字线;多条数据线;多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列;和多条数据线耦合的传感放大器的列;驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入,将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。
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公开(公告)号：CN100590732C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710091645.0
申请日：2002-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C7/18 , H01L27/108 , H01L23/522 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10882 , G11C7/02 , G11C7/18 , H01L23/5225 , H01L27/10885 , H01L27/10897 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储装置，包括放大互补位线对的电压差的读出放大电路；构成上述读出放大电路的P沟道型或者N沟道型的配对晶体管的两个栅电极在同一活性区域中相互平行形成；上述两个栅电极的栅长被设定为上述活性区域的两端部分比中央部分长。
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公开(公告)号：CN101359501A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810212447.X
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4091
CPC classification number: G11C11/406 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C2207/002 , G11C2207/005
Abstract: 根据本发明，在需要用于存储数据的刷新操作的半导体器件中，在页模式读操作中，将响应行地址所选择的存储单元的数据通过位线对，读出放大器和数据线对读出到主放大器。之后，在将保持在主放大器中的数据输出到外面的同时，连接晶体管关断使得主放大器从存储单元断开，从而，能够对存储单元预充电。同样，在页模式写操作中，在将外部提供的输入数据写入主放大器的同时，能够对存储单元预充电。
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公开(公告)号：CN100428360C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410073784.7
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/409
CPC classification number: G11C11/406 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C2207/002 , G11C2207/005
Abstract: 根据本发明，在需要用于存储数据的刷新操作的半导体器件中，在页模式读操作中，将响应行地址所选择的存储单元的数据通过位线对，读出放大器和数据线对读出到主放大器。之后，在将保持在主放大器中的数据输出到外面的同时，连接晶体管关断使得主放大器从存储单元断开，从而，能够对存储单元预充电。同样，在页模式写操作中，在将外部提供的输入数据写入主放大器的同时，能够对存储单元预充电。
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