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公开(公告)号：CN100353579C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410008037.5
申请日：2004-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/0986 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/332 , H01L2224/18 , H01L2924/3512
Abstract: 一种薄膜压电元件及其制造方法以及执行元件，所述薄膜压电元件层积两层主电极膜和对向电极膜夹持的压电薄膜，并将其形成一对，在电极取出区域设置主电极膜的一部分比压电薄膜突出的区域，设置第一开口部和第二开口部中的至少某一开口部，所述第一开口部形成于所述区域上的绝缘层上，所述第二开口部如下形成，设置在对向电极膜的一部分仅形成有绝缘层的区域，在该区域上的绝缘层上形成所述第二开口部，并具有借由所述开口部和对向电极膜或主电极膜连接并引出至表面层的连接配线。
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公开(公告)号：CN1527415A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410008037.5
申请日：2004-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/0986 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/332 , H01L2224/18 , H01L2924/3512
Abstract: 一种薄膜压电元件及其制造方法以及执行元件，所述薄膜压电元件层积两层主电极膜和对向电极膜夹持的压电薄膜，并将其形成一对，在电极取出区域设置主电极膜的一部分比压电薄膜突出的区域，设置第一开口部和第二开口部中的至少某一开口部，所述第一开口部形成于所述区域上的绝缘层上，所述第二开口部如下形成，设置在对向电极膜的一部分仅形成有绝缘层的区域，在该区域上的绝缘层上形成所述第二开口部，并具有介由所述开口部和对向电极膜或主电极膜连接并引出至表面层的连接配线。
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公开(公告)号：CN100470370C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410079817.9
申请日：2004-09-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/2014 , B82Y10/00 , G03F7/0035 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/865
Abstract: 本发明涉及一种形成抗蚀图的方法，通过在曝光中阻止光的不期望的衍射，可以形成精细的图案。该方法包括以下步骤：在基体1的表面上形成抗蚀膜2；通过使抗蚀膜2曝光且使其显影，在抗蚀膜2上形成突起252和抽气凹陷251；在将光掩膜31叠置在抗蚀膜2上的状态中，通过抽气凹陷251进行抽气，使抗蚀膜2和其中形成预定图案的光掩膜31紧密接触；以及使与光掩膜31图案相对应的抗蚀膜2的一部分曝光，其中形成的光掩膜31图案从面对突起252的区域延伸到面对抗蚀膜2上抽气凹陷251的区域。
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公开(公告)号：CN1612045A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410079817.9
申请日：2004-09-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/2014 , B82Y10/00 , G03F7/0035 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/865
Abstract: 本发明涉及一种形成抗蚀图的方法，通过在曝光中阻止光的不期望的衍射，可以形成精细的图案。该方法包括以下步骤：在基体1的表面上形成抗蚀膜2；通过使抗蚀膜2曝光且使其显影，在抗蚀膜2上形成突起252和抽气凹陷251；在将光掩膜31叠置在抗蚀膜2上的状态中，通过抽气凹陷251进行抽气，使抗蚀膜2和其中形成预定图案的光掩膜31紧密接触；以及使与光掩膜31图案相对应的抗蚀膜2的一部分曝光，其中形成的光掩膜31图案从面对突起252的区域延伸到面对抗蚀膜2上抽气凹陷251的区域。
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