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公开(公告)号：CN101542707B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880000059.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/66 , G01R31/302
CPC classification number: G01R31/311 , G01N21/93 , G01N21/9501 , G01N21/95607 , H01L22/12
Abstract: 对于由检查的半导体器件结构中配备的扩散区域形成的结构A，照射脉冲激光时产生的电磁波振幅波形的强度，与预先测定的对基准品的结构A照射脉冲激光时发出的电磁波振幅波形的强度进行比较，校正电磁波检测灵敏度(S14)后，对检查对象的半导体器件进行检查，从而，消除了由于检查装置的电磁波检测灵敏度偏差而造成的测定误差，进行高精度的好坏判定(S16)。
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公开(公告)号：CN101069095B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200680001305.8
申请日：2006-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N29/043 , G01N29/28 , G01N2291/02854 , G01N2291/044 , G01N2291/2697
Abstract: 用高分子膜(2)封住介质槽(1)的底面开口并密封(a)，对介质槽(1)的内部(4)减压并使高分子膜(2)吸附在介质槽(1)的底部(b)，一面对介质槽(1)的内部(4)减压，一面注入超声波传导介质(5)，使得至少浸渍超声波探头(3)的前端(c)，在使检查对象(6)和介质槽(1)相对移动并使检查对象(6)和上述高分子膜(2)接触的状态下，向介质槽(1)的内部施加更大的压力(d)，用超声波探头(3)来接收从所述超声波探头(3)发送并由检查对象反射的超声波来进行检查，从而能够容易地进行生产工序中的高分子膜(2)的更换，而且对于检查对象即使没有检查对象和其周围的空间，也能够进行很好的检查。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101069095A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200680001305.8
申请日：2006-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N29/043 , G01N29/28 , G01N2291/02854 , G01N2291/044 , G01N2291/2697
Abstract: 用高分子膜(2)封住介质槽(1)的底面开口并密封(a)，对介质槽(1)的内部(4)减压并使高分子膜(2)吸附在介质槽(1)的底部(b)，一面对介质槽(1)的内部(4)减压，一面注入超声波传导介质(5)，使得至少浸渍超声波探头(3)的前端(c)，在使检查对象(6)和介质槽(1)相对移动并使检查对象(6)和上述高分子膜(2)接触的状态下，向介质槽(1)的内部施加更大的压力(d)，用超声波探头(3)来接收从所述超声波探头(3)发送并由检查对象反射的超声波来进行检查，从而能够容易地进行生产工序中的高分子膜(2)的更换，而且对于检查对象即使没有检查对象和其周围的空间，也能够进行很好的检查。
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公开(公告)号：CN101156065A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011066.4
申请日：2006-06-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N29/28
CPC classification number: G01N29/28 , G01N2291/101 , G01N2291/2638 , G01N2291/2697
Abstract: 将检查对象(6)放置在与放置超声波传播介质(2)并用高分子膜(1)密封开口部的介质槽(10)分开的、与介质槽的高分子膜相对并形成开口的检查对象放置容器本体(12)中，用介质槽(10)的高分子膜(1)覆盖检查对象放置容器本体(12)的开口，同时对由框体(14)和高分子膜(1)及检查对象(6)形成的测定环境空间(17)进行减压，使高分子膜(1)紧贴在检查对象(6)上，从超声波探头(8)通过超声波传播介质(2)和高分子膜(1)向检查对象(6)发射超声波，来进行探伤检查。
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公开(公告)号：CN102779709A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210140917.2
申请日：2012-05-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/10 , H01J9/32 , H01J11/48 , Y10T156/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电极接合结构体以及电极接合结构体的制造方法。在该电极接合结构体中，柔性基板的端部的沿着柔性基板边缘的柔性基板区域隔着粘接构件、与第一玻璃基板的端部的相比沿着玻璃基板边缘的玻璃基板区域要处于内侧的玻璃基板区域进行接合，间隙形成在柔性基板的端部的相比沿着柔性基板边缘的柔性基板区域要处于内侧的柔性基板区域、与第一玻璃基板的端部的沿着玻璃基板边缘的玻璃基板区域之间，封固树脂构件形成为覆盖柔性基板的端部的柔性基板上表面，且至少进入间隙的一部分中，间隙的高度从第一玻璃基板的端部的玻璃基板边缘朝向粘接构件而变小。
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公开(公告)号：CN101156065B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680011066.4
申请日：2006-06-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N29/28
CPC classification number: G01N29/28 , G01N2291/101 , G01N2291/2638 , G01N2291/2697
Abstract: 将检查对象(6)放置在与放置超声波传播介质(2)并用高分子膜(1)密封开口部的介质槽(10)分开的、与介质槽的高分子膜相对并形成开口的检查对象放置容器本体(12)中，用介质槽(10)的高分子膜(1)覆盖检查对象放置容器本体(12)的开口，同时对由框体(14)和高分子膜(1)及检查对象(6)形成的测定环境空间(17)进行减压，使高分子膜(1)紧贴在检查对象(6)上，从超声波探头(8)通过超声波传播介质(2)和高分子膜(1)向检查对象(6)发射超声波，来进行探伤检查。
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公开(公告)号：CN101542707A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000059.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/66 , G01R31/302
CPC classification number: G01R31/311 , G01N21/93 , G01N21/9501 , G01N21/95607 , H01L22/12
Abstract: 对于由检查的半导体器件结构中配备的扩散区域形成的结构A，照射脉冲激光时产生的电磁波振幅波形的强度，与预先测定的对基准品的结构A照射脉冲激光时发出的电磁波振幅波形的强度进行比较，校正电磁波检测灵敏度(S14)后，对检查对象的半导体器件进行检查，从而，消除了由于检查装置的电磁波检测灵敏度偏差而造成的测定误差，进行高精度的好坏判定(S16)。
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