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公开(公告)号：CN1964052A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610101552.7
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。
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公开(公告)号：CN1964052B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200610101552.7
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。
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公开(公告)号：CN100466261C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510072638.7
申请日：2005-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11568
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于半导体存储装置，特别是对于同时设有逻辑区域、和具有扩散布线层结构的存储器区域的半导体存储装置中的栅极电极等的尺寸细微化，能够更进一步地降低栅极电阻值。半导体存储装置，具有：作为存储器区域的第1活性区域103，其中，该存储器区域，形成在半导体衬底101上，通过相互交叉的多个杂质扩散层(比特线)107和多个栅极电极(字线)105将分别含有存储器晶体管的多个存储器单元呈矩阵状设置而成。各存储器晶体管的栅极电极105，具有其上面的中央部从边缘部向上方突出的突出部分，在各存储器晶体管的栅极电极105中的突出部分的上面，分别形成有硅化物层109。
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公开(公告)号：CN1728388A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510072638.7
申请日：2005-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11568
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于半导体存储装置，特别是对于同时设有逻辑区域、和具有扩散布线层结构的存储器区域的半导体存储装置中的栅极电极等的尺寸细微化，能够更进一步地降低栅极电阻值。半导体存储装置，具有：作为存储器区域的第1活性区域103，其中，该存储器区域，形成在半导体衬底101上，通过相互交叉的多个杂质扩散层(比特线)107和多个栅极电极(字线)105将分别含有存储器晶体管的多个存储器单元呈矩阵状设置而成。各存储器晶体管的栅极电极105，具有其上面的中央部从边缘部向上方突出的突出部分，在各存储器晶体管的栅极电极105中的突出部分的上面，分别形成有硅化物层109。
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