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公开(公告)号：CN100466438C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510074035.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森吉弘
IPC: H02M3/28
Abstract: 提供一种能以低成本且最少的元器件数量来实现高精度的恒流下垂特性的开关电源装置。在本发明的开关电源装置中，次级占空比限制电路(12)从开关元件(1)不动作的时刻开始，在使变压器(110)的次级绕组(110B)中开始流动的次级电流的导通占空比为一定的规定值的时刻输出时钟信号(set_2)。另外，若负载(132)加重，次级电流的导通占空比达到规定值时，则时钟信号选择电路(13)选择时钟信号(set_2)并输出。其结果，若负载(132)加重，则使直流输出电压VO下降，输出特性为恒流下垂特性。另外这时，若元件电流检测信号VCL的电压达到过电流保护基准电压VLIMIT，则由于漏极电流控制电路(5)输出决定开关元件(1)不动作的不动作信号，因此使次级电流的峰值电流维持在一定值。
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公开(公告)号：CN1702949A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074035.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森吉弘
IPC: H02M3/28
Abstract: 提供一种能以低成本且最少的元器件数量来实现高精度的恒流下垂特性的开关电源装置。在本发明的开关电源装置中，次级占空比限制电路(12)从开关元件(1)不动作的时刻开始，在使变压器(110)的次级绕组(110B)中开始流动的次级电流的导通占空比为一定的规定值的时刻输出时钟信号(set_2)。另外，若负载(132)加重，次级电流的导通占空比达到规定值时，则时钟信号选择电路(13)选择时钟信号(set_2)并输出。其结果，若负载(132)加重，则使直流输出电压VO下降，输出特性为恒流下垂特性。另外这时，若元件电流检测信号VCL的电压达到过电流保护基准电压VLIMIT，则由于漏极电流控制电路(5)输出决定开关元件(1)不动作的不动作信号，因此使次级电流的峰值电流维持在一定值。
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公开(公告)号：CN1937383A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139814.9
申请日：2006-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M1/32
Abstract: 本发明，提供一种具有通过开关元件的动作检测出提供给输出部的能量的过负载的多个结构，并能够选择锁定停止型、自复原型的保护的半导体装置。该半导体装置中，一旦开关元件的漏极电流峰值IDP达到设为过负载的给定值以上，FB端子电压便也上升，进行锁定停止；另外，峰值IDP达到最大值后，即使负载进一步加重，输出功率也无法加大，因此CC端子电压降低到给定值，此时限制开关元件的振荡期间。能够进行检测出峰值IDP达到给定值以上来进行锁定停止型的过负载保护，与检测出CC端子电压降低到给定值来进行自复原型过负载保护。像这样通过两种检测进行两个过负载保护，能够提高开关电源的设计自由度。
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公开(公告)号：CN1159770C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN99107965.5
申请日：1999-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在延长漏极区(3)内部，形成P型埋入区(2)。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区(3)通过用离子注入法或POCl3扩散法，往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质，而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时，由于漏极电流流过N型高浓度区(1)，所以通态电阻被减小了。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100345307C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200310124832.6
申请日：1999-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第一导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。
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公开(公告)号：CN1858981A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610073703.2
申请日：2006-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523
Abstract: 本发明揭示一种电源调整电路，这种电源调整电路不用在次级设置恒流控制电路，便能实现良好的恒流下降特性。在恒流动作时使开关元件(1)导通，以便流过变压器(110)次级绕组(110B)的次级电流导通占空比维持在一定值，实现恒流下降特性。再有在此时，在开关元件(1)的导通期间内，使规定流过开关元件(1)的漏极电流(ID)的最大值的限流值在第1和第2电平之间变化，使得漏极电流(ID)的峰值为一定。
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公开(公告)号：CN1518126A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310124832.6
申请日：1999-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。
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公开(公告)号：CN1137517C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98108887.2
申请日：1998-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/45479 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H03K5/08 , H03K5/2418 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括一个比较器，该比较器包括有向其提供检测电压的检测端电路和向其提供参考电压的参考端电路。半导体器件内设置获取检测电压的检测元件，半导体器件外设置获取参考电压的参考元件。检测端电路和参考端电路中至少一个包括与温度有关的调节元件，用于减小检测电压的温度特性和参考电压的温度特性间的差异。
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公开(公告)号：CN100438298C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610073703.2
申请日：2006-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33523
Abstract: 本发明揭示一种电源调整电路，这种电源调整电路不用在次级设置恒流控制电路，便能实现良好的恒流下降特性。在恒流动作时使开关元件(1)导通，以便流过变压器(110)次级绕组(110B)的次级电流导通占空比维持在一定值，实现恒流下降特性。再有在此时，在开关元件(1)的导通期间内，使规定流过开关元件(1)的漏极电流(ID)的最大值的限流值在第1和第2电平之间变化，使得漏极电流(ID)的峰值为一定。
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