公开(公告)号：CN101498899A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126712.7

申请日：2009-02-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井出理美子 ,  野田研二 ,  福本博文 ,  旭宪一 ,  氏丸直彦

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70641 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明提供聚焦测定方法和半导体装置的制造方法，其能够正确地测定聚焦值和聚焦偏移量。利用由电子束照射引起的抗蚀剂图形的收缩量依赖于聚焦值进行变化的情况求取聚焦值。在求取聚焦值的情况下，对通过聚焦值测定对象的曝光形成的聚焦测定用抗蚀剂图形的收缩量进行测定。与该收缩量对应的聚焦值从预先取得的收缩量的聚焦依赖性求取。聚焦偏移量能够由该聚焦值和最佳聚焦值的差确定。

公开(公告)号：CN1799122A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014864.3

申请日：2004-05-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福本博文 ,  氏丸直彦 ,  旭宪一 ,  岩本文男

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70433 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

Abstract: 用不同的焦距值在第1基板上曝光形成多组包括由抗蚀剂膜构成的预定形状的凸图案和具有形状与上述凸图案相对应的间隙的凹图案的第1测量图案，测量上述多组第1测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量与上述焦距值的对应关系(7)、(14)求出上述边缘倾斜量的焦距依存性(17)。在第2基板上形成包括上述凸图案和上述凹图案的第2测量图案，测量上述第2测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量的焦距依存性从上述第2测量图案的边缘倾斜量算出上述第2测量图案曝光时焦距偏离最佳焦距的量。将上述凸图案和上述凹图案的间隙尺寸设定为不同的值，使各图案曝光时的最佳焦距值接近。

公开(公告)号：CN100426461C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200480014864.3

申请日：2004-05-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福本博文 ,  氏丸直彦 ,  旭宪一 ,  岩本文男

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70433 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

Abstract: 用不同的焦距值在第1基板上曝光形成多组包括由抗蚀剂膜构成的预定形状的凸图案和具有形状与上述凸图案相对应的间隙的凹图案的第1测量图案，测量上述多组第1测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量与上述焦距值的对应关系(7)、(14)求出上述边缘倾斜量的焦距依存性(17)。在第2基板上形成包括上述凸图案和上述凹图案的第2测量图案，测量上述第2测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量的焦距依存性从上述第2测量图案的边缘倾斜量算出上述第2测量图案曝光时焦距偏离最佳焦距的量。将上述凸图案和上述凹图案的间隙尺寸设定为不同的值，使各图案曝光时的最佳焦距值接近。

公开(公告)号：CN101071277A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200610165978.9

申请日：2006-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北原英和 ,  野田研二 ,  旭宪一 ,  氏丸直彦 ,  福本博文

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: 本发明涉及一种显像方法及使用该显像方法的半导体装置的制作方法。在抗蚀图案的多段显像方法中，即使开口率不同的区域混杂时也能防止图案尺寸(开口尺寸)所产生的偏差。首先工序(ST1)中在具有上表面开口率互不相同的设计图案已被曝光的抗蚀膜的晶片中，向抗蚀膜上供给显像液。然后在工序(ST2)中通过已供给的显像液使抗蚀膜进行显像反应。然后在工序(ST3)中在显像后通过旋转晶片甩开去除显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。然后在工序(ST5)中去除显像液后向已显像的抗蚀膜上供给清洗液，通过旋转晶片冲掉显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。此时工序(ST3)中晶片的旋转速度小于等于工序(ST5)中衬底旋转速度的二分之一。