公开(公告)号：CN101256830A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810002329.6

申请日：2008-01-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井裕康 ,  中山雅义

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C7/062 ,  G11C11/16 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2207/063 ,  G11C2213/77

Abstract: 在电阻交叉点单元阵列中，除读出时选择的存储器单元之外，产生无数个寄生电流的路径。因为该寄生电流的总和与选择的存储器单元的电流相比相当大，所以判别选择的存储器单元中存储的数据有困难。为了判别电阻交叉点单元阵列101内的存储器单元中存储的数据，设置具有两个不同的已知电阻值的两个参照单元(例如数据“0”和数据“1”)(917)、(918)，将选择单元(107)与数据“0”的参照单元(917)的电流差和选择单元(107)与数据“1”的参照单元918的(电流差)进行比较。通过将与具有与选择单元(107)相同的寄生电流，并且已知具有数据“0”/数据“1”的参照单元(917)、(918)的电流进行比较，能够抑制寄生电流的影响来判别数据。

公开(公告)号：CN1925059A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610128830.8

申请日：2006-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井裕康 ,  土岐和启 ,  三角贤治 ,  小谷秀人

IPC: G11C16/10 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/349

Abstract: 一种非易失性半导体记忆装置的改写方法，具有陷阱层的非易失性存储单元中，具有确保任意的等待时间的第1电荷注入(121)，以及在改写顺序中，在第1电荷注入后实施的第2电荷注入(122)，通过这样，利用写入后的初期变动(极短时间中与周边电荷的结合所引起的电荷损失现象)，降低使得数据保持特性恶化的周边电荷，进而补充因初期变动所引起的电荷损失部分，通过这样，提高之后的数据保持特性，抑制具有陷阱层的非易失性存储单元的数据保持特性的恶化。

公开(公告)号：CN101004951A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610172099.9

申请日：2006-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土岐和启 ,  永井裕康 ,  三角贤治 ,  小谷秀人

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/0466 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16

Abstract: 在具有陷阱层的非易失性存储单元中，通过具有确保任意的等待时间的第一电荷注入(121)、和在改写时序中于第一电荷注入后实施的第二电荷注入(122)，利用刚刚写入之后的初期变动(极短时间内的与周边电荷的结合所引起的电荷损失现象)，降低使数据保持特性恶化的周边电荷，在此基础上进一步通过弥补因初期变动而减少的电荷损失量，来提高此后的数据保持特性。其中，仅在达到规定判断电平时实施第二电荷注入。这样可抑制具有陷阱层的非易失性存储单元的数据保持特性的恶化。