公开(公告)号：CN102741992A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200980100751.8

申请日：2009-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  内田正雄 ,  池上亮

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2623 ,  G01R31/20 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明的耐压测定方法，用于对形成在晶片表面的多个半导体元件的耐压进行测定，包括：将所述晶片固定到载置台的步骤(A)；利用绝缘液仅覆盖所述晶片表面的一部分、即至少覆盖从所述多个半导体元件选择的一个半导体元件上设置的测定耐压的一个以上露出于大气的电极，并且使探头与所述一个以上电极接触的步骤(B)；和对从所述一个以上电极及所述载置台表面选择的两个之间的耐压进行测定的步骤(C)。

公开(公告)号：CN103477439A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180026176.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  庭山雅彦 ,  池上亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的半导体装置，具备设于体区(104)的第二导电类型的接触区(201)，并且接触区(201)包括：与第一欧姆电极(122)接触的第一区域(201a)、和在比第一区域(201a)更深的位置上所配置且与体区(104)接触的第二区域(201b)，第一区域(201a)和第二区域(201b)分别具有至少1个杂质浓度的峰值，第一区域(201a)的杂质浓度的峰值是比第二区域(201b)的杂质浓度的峰值高的值。

公开(公告)号：CN103477439B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180026176.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  庭山雅彦 ,  池上亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的半导体装置，具备设于体区(104)的第二导电类型的接触区(201)，并且接触区(201)包括：与第一欧姆电极(122)接触的第一区域(201a)、和在比第一区域(201a)更深的位置上所配置且与体区(104)接触的第二区域(201b)，第一区域(201a)和第二区域(201b)分别具有至少1个杂质浓度的峰值，第一区域(201a)的杂质浓度的峰值是比第二区域(201b)的杂质浓度的峰值高的值。