公开(公告)号：CN102576723B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201080047439.X

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  山下贤哉 ,  庭山雅彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(100)具备：配置于半导体基板(101)的主表面上的第1碳化硅层(120)；配置于第1碳化硅层的第1导电型的第1杂质区域(103)；第2导电型的体区域(104)；在体区域内配置于比第1杂质区域(103)更深的位置、且以比体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质的第2导电型的接触区域(131)；第1导电型的漂移区域(102)；和与第1杂质区域(103)以及接触区域(131)欧姆接触的第1欧姆电极(122)，在第1碳化硅层(120)中设置有贯穿第1杂质区域(103)的接触沟槽(121)，第1欧姆电极(122)配置于接触沟槽(121)内，且在接触沟槽的侧壁下部(121cL)的至少一部分以及底表面(121b)与接触区域(131)接触。

公开(公告)号：CN102576723A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047439.X

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  山下贤哉 ,  庭山雅彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(100)具备：配置于半导体基板(101)的主表面上的第1碳化硅层(120)；配置于第1碳化硅层的第1导电型的第1杂质区域(103)；第2导电型的体区域(104)；在体区域内配置于比第1杂质区域(103)更深的位置、且以比体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质的第2导电型的接触区域(131)；第1导电型的漂移区域(102)；和与第1杂质区域(103)以及接触区域(131)欧姆接触的第1欧姆电极(122)，在第1碳化硅层(120)中设置有贯穿第1杂质区域(103)的接触沟槽(121)，第1欧姆电极(122)配置于接触沟槽(121)内，且在接触沟槽的侧壁下部(121cL)的至少一部分以及底表面(121b)与接触区域(131)接触。

公开(公告)号：CN1956219A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610100992.0

申请日：2006-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法。目的在于：能够实现不管栅极长度如何、具有相同组成的FUSI结构的半导体装置及其制造方法。在具有被FUSI化的栅极长度不同的第一栅极电极14T1及第二栅极电极14T2的半导体装置中，在第一栅极电极14T1依次形成第一侧壁105和第二侧壁106，第一侧壁105的上端低于第一栅极电极14T1的上表面及第二侧壁106的上端且第一侧壁105和第二侧壁106彼此的蚀刻特性不同。在第二栅极电极14T2中，第一侧壁105的上端也低于第二栅极电极14T2的上表面及第二侧壁106的上端。

公开(公告)号：CN1945835A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610110148.6

申请日：2006-08-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823443 ,  H01L27/0629

Abstract: 在栅极长度不同的复数个栅极电极上，得到不依存栅极长度具有均匀组成的全硅化物化构造。半导体装置，是以具有各自被金属全硅化物化了的，栅极长度相互不同的第一栅极电极(14T1)及第二栅极电极(14T2)。在第一栅极电极(14T1)及第二栅极电极(14T2)的至少其中之一的上部，形成了周围高且栅极长度方向的中央部低的凹形槽。凹形槽，具有依赖于栅极电极(14T1、14T2)的栅极长度的宽度尺寸。

公开(公告)号：CN101542688B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200880000265.4

申请日：2008-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  工藤千秋

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种包括如下所述的工序的碳化硅半导体元件的制造方法，即：向在具有第1及第2主面的碳化硅基板1的所述第1主面上形成的碳化硅层(2)的至少一部分中注入杂质离子(3)，形成杂质掺杂区域的工序(A)；在所述碳化硅层(2)的至少上面(2a)及所述碳化硅基板(1)的至少第2主面(12a)上形成具有耐热性的帽层(6)的工序(B)；和以规定的温度加热所述碳化硅层(2)，进行活化退火处理的工序(C)。

公开(公告)号：CN101150131A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710148754.1

申请日：2007-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  小川久

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/423 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/4238

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置，包括：形成在半导体衬底(101)中的元件隔离区域(102)，由元件隔离区域(102)包围的活性区域(103a)、(103b)，以及形成在元件隔离区域(102)及活性区域(103a)、(103b)上，并在元件隔离区域(102)上具有与活性区域(103a)、(103b)上相比栅极长度方向上的图案宽度较大的第一区域的第一栅电极(105)。第一栅电极(105)中的第一区域，具有膜厚与活性区域(103a)、(103b)上的膜厚不同的部分。因此，能够提供包括能够抑制边角圆化现象的栅电极结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN1956195A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610132140.X

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  粉谷直树 ,  赤松晋 ,  工藤千秋

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0251 ,  H01L28/20

Abstract: 一种半导体装置，其具备金属绝缘体半导体晶体管，该金属绝缘体半导体晶体管具有FUSI栅电极和多晶硅电阻体，其中多晶硅电阻体中设置在接触形成区域的部分与栅电极或杂质扩散区域同时被硅化物化。由此，提供一种具备FUSI电极和多晶硅电阻体且能够简便地制造的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1627803A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410100269.3

申请日：2004-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC classification number: H04N5/372 ,  H04N5/3675 ,  H04N5/3728

Abstract: 在将从图像输入装置1传送的电荷Q(x，y)变换成第1信号强度S’(x，y)，对特定的像素的第1信号强度S’(x，y)进行信号处理的情况下，从相邻的像素的信号强度S’(x－1，y)和S’(x+1，y)求得最大值Smax、最小值Smin和平均值Save。在S’(x，y)＞Smax×A的情况，在特定像素的信号强度S(x，y)＝Save×C(A、C为系数)，S’(x，y)＜Smin×B的情况下，通过设定信号强度S(x，y)＝Save×D(B、D为系数)，被处理成为适当的强度S(x，y)。可准确地判定起因于附着在图像输入装置的像素阵列上的灰尘及晶格缺陷等的缺陷像素，补偿起因于缺陷像素的图像上的缺陷。

公开(公告)号：CN105051868A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201380009099.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  清泽努 ,  若山贵行

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体装置具备第一碳化硅半导体层、设置在第一碳化硅半导体层的p型第一杂质区、以及与第一杂质区形成欧姆接触的第一欧姆电极。第一欧姆电极为含氮的硅合金，第一欧姆电极中含有的氮的平均浓度为第一杂质区中的氮的平均浓度的二分之一以上，第一欧姆电极的、从与第一杂质区之间的界面起50nm的范围以外的部分中的p型杂质的平均浓度为3.0×1018cm-3以下。

公开(公告)号：CN103477439B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180026176.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  庭山雅彦 ,  池上亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的半导体装置，具备设于体区(104)的第二导电类型的接触区(201)，并且接触区(201)包括：与第一欧姆电极(122)接触的第一区域(201a)、和在比第一区域(201a)更深的位置上所配置且与体区(104)接触的第二区域(201b)，第一区域(201a)和第二区域(201b)分别具有至少1个杂质浓度的峰值，第一区域(201a)的杂质浓度的峰值是比第二区域(201b)的杂质浓度的峰值高的值。