公开(公告)号：CN100365936C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200410070224.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 畑山薰 ,  炭田昌哉 ,  岸下景介 ,  沼道男

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/01

CPC classification number: H03K19/0016

Abstract: 根据本发明的半导体集成电路包括：包含MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中控制电位(至少衬底电位和源电位中的一个)将得到控制；用于基于作为控制目标的电路的内部信号对于控制电位产生控制信号的控制信号生成电路；以及用来基于控制信号控制MOS晶体管的控制电位(衬底电位/源电位)的控制电位控制电路。

公开(公告)号：CN1585271A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410070224.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 畑山薰 ,  炭田昌哉 ,  岸下景介 ,  沼道男

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/01

CPC classification number: H03K19/0016

Abstract: 根据本发明的半导体集成电路包括：包含MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中控制电位(至少衬底电位和源电位中的一个)将得到控制；用于基于作为控制目标的电路的内部信号对于控制电位产生控制信号的控制信号生成电路；以及用来基于控制信号控制MOS晶体管的控制电位(衬底电位/源电位)的控制电位控制电路。