公开(公告)号：CN1812088A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129533.0

申请日：2005-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川端毅 ,  佐藤元昭 ,  福田敏行 ,  津田俊雄 ,  登一博 ,  中谷诚一

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件，树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。

公开(公告)号：CN1855479A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073600.6

申请日：2006-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川端毅 ,  佐藤元昭 ,  福田敏行 ,  津田俊雄 ,  登一博 ,  中谷诚一

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种多层结构半导体模块及其制造方法。目的在于：提供一种在谋求提高耐湿可靠性的同时，抑制了弯曲的产生的多层结构半导体模块及其制造方法。半导体模块(1)是通过交替叠层树脂衬底和片状部件(5)而成，该树脂衬底具有第1埋入导体(7)，在上表面上安装了半导体芯片(2)，该片状部件(5)形成了收纳半导体芯片(2)的开口部(10)，具有与第1埋入导体(7)电连接的第2埋入导体(9)。半导体模块(1)具备多个树脂衬底及片状部件(5)，树脂衬底中的布置在最下层的第1树脂衬底(4)厚于第2树脂衬底(3)。片状部件(5)具有覆盖半导体芯片(2)的上表面及侧面的粘合部件。

公开(公告)号：CN1812088B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510129533.0

申请日：2005-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川端毅 ,  佐藤元昭 ,  福田敏行 ,  津田俊雄 ,  登一博 ,  中谷诚一

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件，树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。

公开(公告)号：CN100499117C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610073600.6

申请日：2006-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川端毅 ,  佐藤元昭 ,  福田敏行 ,  津田俊雄 ,  登一博 ,  中谷诚一

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种多层结构半导体模块及其制造方法。目的在于：提供一种在谋求提高耐湿可靠性的同时，抑制了弯曲的产生的多层结构半导体模块及其制造方法。半导体模块(1)是通过交替叠层树脂衬底和片状部件(5)而成，该树脂衬底具有第1埋入导体(7)，在上表面上安装了半导体芯片(2)，该片状部件(5)形成了收纳半导体芯片(2)的开口部(10)，具有与第1埋入导体(7)电连接的第2埋入导体(9)。半导体模块(1)具备多个树脂衬底及片状部件(5)，树脂衬底中的布置在最下层的第1树脂衬底(4)厚于第2树脂衬底(3)。片状部件(5)具有覆盖半导体芯片(2)的上表面及侧面的粘合部件。