公开(公告)号：CN103923573B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410012288.4

申请日：2014-01-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司

IPC: C09J7/40 ,  C09J7/25 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

公开(公告)号：CN105244290B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510393638.0

申请日：2015-07-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃木昌克 ,  斋藤浩儿 ,  大武守

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67294 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54446 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752

Abstract: 改进了在半导体器件内形成的编码的读取可靠性。根据一个实施例的制造半导体器件的方法包括在多个器件区域DVP内形成密封体的步骤，在布线衬底的器件区域DVP外部形成编码(第一标识信息)MK3。另外，根据一个实施例的半导体器件的制造方法包括在形成密封体MR之后，读取编码MK3，并且将另一编码(第二标识信息)附加到密封体MR的步骤。另外，在形成密封体的步骤之前，在形成编码MK3的标记区域MKR和器件区域DVP之间形成坝状物部分DM。

公开(公告)号：CN108807200A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810827595.6

申请日：2014-09-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·迈耶 ,  P·耶尔维能 ,  R·帕藤

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49 ,  H01L23/528 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L25/07 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了具有引线键合的多管芯堆叠的集成电路封装。本公开的实施例针对集成电路(IC)封装，包括至少部分内嵌于第一包封层中的第一管芯和至少部分内嵌于第二包封层的第二管芯。第一管芯可具有被置于第一包封层的第一侧边的多个第一管芯级互连结构。IC封装还可包括至少部分内嵌于第一包封层中，并被配置以在第一包封层的第一和第二侧边之间路由电气信号的多个电气路由特征。第二侧边可被置于第一侧边的对面。第二管芯可具有可与多个电气路由特征中的至少子集通过键合引线电气耦合的多个第二管芯级互连结构。

公开(公告)号：CN108631750A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810173669.9

申请日：2018-03-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 伊藤久浩 ,  大槻哲也 ,  泽田光章

IPC: H03H9/19 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03B5/32 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83478 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H03B1/02 ,  H03H9/0514 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/10 ,  H03H9/1021 ,  H03H9/19 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H03H9/02

Abstract: 提供振动器件、振荡器、电子设备和移动体，即使振子配置于端子与电路元件之间的情况下，也能够容易地进行端子与电路元件的电连接。振动器件具有：底座，其具有第一端子；电路元件，其被配置于所述底座，具有第二端子；振子，在俯视观察所述底座时，所述振子位于所述第一端子与所述第二端子之间，具备振动片和收纳所述振动片的振动片封装；配线部，其被配置于所述振子；第一线，其将所述第一端子与所述配线部电连接；和第二线，其将所述配线部与所述第二端子电连接。

公开(公告)号：CN108573947A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810178281.8

申请日：2018-03-05

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 三室阳一 ,  加藤伸二郎 ,  盐浦哲郎

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49894 ,  H01L21/4846

Abstract: 本发明提供半导体装置，半导体装置(100)具有：基板(101)；层叠体(103)，其设置在基板的一个主面(101a)侧且包含铝合金布线(102)和包围该铝合金布线(102)绝缘膜(107)；和覆盖层叠体(103)的氮化硅膜(104)，在上述氮化硅膜和上述绝缘膜上，在与上述铝合金布线(102)的焊接部分重叠的位置设置有开口部(105)，在铝合金布线的表面中的从开口部(105)露出的部分附着包含含有硅和氮的反溅射残渣的堆积物而形成有覆膜(106)。该半导体装置能够防止铝合金布线中的作为焊盘露出的部分由于水分而发生腐蚀(电化腐蚀)。

公开(公告)号：CN108573944A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810200156.2

申请日：2018-03-12

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 五十岚觉 ,  加藤伸二郎 ,  长谷川尚 ,  秋野胜 ,  井村行宏

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512 ,  H01L23/485 ,  H01L21/4846

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(10)具有：布线层(5)，其包含设置于基板(1)上的包含铝或铝合金的布线膜(6)和设置于布线膜(6)上的氮化钛膜(7)；保护层(9)，其覆盖布线层(5)的上表面(5a)和侧面(5b)；和焊盘部(8)，其是贯通保护层(9)和氮化钛膜(7)且布线膜(6)露出而成的，保护层(9)是从布线层(5)侧依次层叠第1氮化硅膜(41)、氧化膜(3)和第2氮化硅膜(42)而成的。不易产生包含氮化钛的防反射膜的腐蚀，能够利用一次光刻工序对焊盘部进行开口。

公开(公告)号：CN108422075A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810121321.5

申请日：2013-03-28

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 本村研一 ,  内村健志 ,  大西惇平 ,  后藤达也 ,  田端研二

IPC: B23K20/10 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/451 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的形态提供一种能够实现提高耐磨性的焊接劈刀。提供一种焊接劈刀，其由以氧化铝的结晶为主相的第1种多结晶陶瓷形成且所述氧化铝结晶粒子的平均粒径为0.38μm以下。

公开(公告)号：CN104425472B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410442796.6

申请日：2014-09-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  古川贵史

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/115 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0665

Abstract: 实现了电子器件性能的改进。第一半导体器件和第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得，例如，在平面图中，所述第二半导体器件的取向与所述第一半导体器件的取向相交。即，第一半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第一发射极端子和第一信号端子被沿着布线板的一对短边在其上延伸的X方向布置。在另一方面，第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第二发射极端子和第二信号端子被沿着布线板的一对长边在其上延伸的Y方向布置。

公开(公告)号：CN104253192B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201410299070.1

申请日：2014-06-26

Applicant: 逢甲大学

Inventor： 赖俊峰

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，包括：一光源本体、一导线架、一LED晶粒、一齐纳二极管、一透光层、一光子晶体薄膜。该导线架置于该光源本体底部、该LED晶粒置于该导线架上方、该透光层置于该光源本体的上方、至少一导线与该LED晶粒及该齐纳二极管作电性连接、该光子晶体薄膜置于该LED晶粒的表面和该光源本体的内表面，并利用该光子晶体薄膜的特性以增加发光效率。

公开(公告)号：CN105185781B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510660740.2

申请日：2010-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堤聪明 ,  船户是宏 ,  奥平智仁 ,  山形整人 ,  内田明久 ,  铃木智久 ,  钟江义晴 ,  寺崎健

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H03B5/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H03L7/24 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。