公开(公告)号：CN1848437A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610066615.X

申请日：2006-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福本彰 ,  渡边理绘

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种小型的、同时适合与低耐压MOS型晶体管同时形成的高耐压的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在通过形成于第一导电型的半导体层的元件分离绝缘膜区域区分的区域中，具有隔着栅绝缘膜形成的栅电极和第二导电型的源极区域以及漏极区域。而且，所述源极区域和漏极区域中的至少一方具有第一低浓度区域和高浓度区域，在所述元件分离绝缘膜的下侧形成的沟道截断区域与所述源极区域和漏极区域之间具有第二导电型的第二低浓度区域。另外，所述栅电极正下方的半导体层沿着栅电极向沟道截断区域侧突出，与该半导体层和沟道截断区域接触。

公开(公告)号：CN100573872C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610066615.X

申请日：2006-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福本彰 ,  渡边理绘

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种小型的、同时适合与低耐压MOS型晶体管同时形成的高耐压的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在通过形成于第一导电型的半导体层的元件分离绝缘膜区域区分的区域中，具有隔着栅绝缘膜形成的栅电极和第二导电型的源极区域以及漏极区域。而且，所述源极区域和漏极区域中的至少一方具有第一低浓度区域和高浓度区域，在所述元件分离绝缘膜的下侧形成的沟道截断区域与所述源极区域和漏极区域之间具有第二导电型的第二低浓度区域。另外，所述栅电极正下方的半导体层沿着栅电极向沟道截断区域侧突出，与该半导体层和沟道截断区域接触。