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公开(公告)号：CN1497719A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310100789.X
申请日：2003-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 福本彰
IPC: H01L23/52 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和其制造方法，在用于对键合焊盘进行开口的腐蚀工序后，在绝缘保护膜上不发生缺损，可不增加使成本上升的工序来进行制造。本发明的半导体器件在半导体衬底上形成多条布线(101)或导电膜图形，并在所述多条布线(101)或导电膜图形间形成间隙，其中：在所述多条布线(101)或导电膜图形的至少一个弯曲部或末端部，从夹持所述间隙的某一个的布线或导电膜图形向所述间隙形成突出部(102)。
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公开(公告)号：CN1139346A
公开(公告)日：1997-01-01
申请号：CN96104419.5
申请日：1996-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/772 , H04N5/9205
Abstract: 在图像记录设备中，在给定信号电荷积累时间内，图像传感器获得了具有不同信号电荷积时间的两个视频信号，并将它们记录在记录介质上，从而可以记录具有较宽亮度分布的目标的视频信号，而对于图像再现设备，校正电路对标准照度视频信息和高照度视频信息进行校正，用户通过目标照度范围指定电路指定待输出的目标照度范围，而电平转换器将亮度转换到显示装置或打印机能够输出的亮度电平。
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公开(公告)号：CN1551625A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410045704.7
申请日：1996-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/772 , H04N5/9205
Abstract: 在图像记录设备中，在给定信号电荷积累时间内，图像传感器获得了具有不同信号电荷积时间的两个视频信号，并将它们记录在记录介质上，从而可以记录具有较宽亮度分布的目标的视频信号，而对于图像再现设备，校正电路对标准照度视频信息和高照度视频信息进行校正，用户通过目标照度范围指定电路指定待输出的目标照度范围，而电平转换器将亮度转换到显示装置或打印机能够输出的亮度电平。
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公开(公告)号：CN1365229A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01139456.0
申请日：1996-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N7/147 , H04N5/232 , H04N5/235 , H04N5/2355
Abstract: 本发明涉及一种视频信息调节装置,一种视频信息调节装置,包含:图像信息取得装置,根据预定的摄像条件,在逐场的基础上分别取得偶数行的图像信息和奇数行的图像信息;发送装置,从外界接收有关预定的分辨率的信息;以及图像信息产生装置,利用全部或部分的所述偶数行图像信息和所述奇数行图像信息产生对应于所述预定分辨率的图像信息。
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公开(公告)号：CN1136190A
公开(公告)日：1996-11-20
申请号：CN96104194.3
申请日：1996-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06T1/00
CPC classification number: H04N7/147 , H04N5/232 , H04N5/235 , H04N5/2355
Abstract: 本发明涉及一种视频信息调节装置，它包括根据预定的摄像条件，从同一幅景中分别取得对应于至少两种不同照度范围的图像信息的照度信息取得部件511、分别发送对应于至少两种照度范围的图像信息，并从外界接收对应于至少两种不同的照度范围的另一图像信息的发送装置504，以及根据预定的照度范围并利用全部或部分对应于至少两种照度范围的另一图像信息来产生亮度经调节的图像信息。根据这种视频信息调节装置，可以在每个接收侧调节发送的图像信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100573872C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610066615.X
申请日：2006-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1083 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种小型的、同时适合与低耐压MOS型晶体管同时形成的高耐压的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在通过形成于第一导电型的半导体层的元件分离绝缘膜区域区分的区域中，具有隔着栅绝缘膜形成的栅电极和第二导电型的源极区域以及漏极区域。而且，所述源极区域和漏极区域中的至少一方具有第一低浓度区域和高浓度区域，在所述元件分离绝缘膜的下侧形成的沟道截断区域与所述源极区域和漏极区域之间具有第二导电型的第二低浓度区域。另外，所述栅电极正下方的半导体层沿着栅电极向沟道截断区域侧突出，与该半导体层和沟道截断区域接触。
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公开(公告)号：CN1178488C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN96104419.5
申请日：1996-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/772 , H04N5/9205
Abstract: 在图像记录设备中，在给定信号电荷积累时间内，图像传感器获得了具有不同信号电荷积时间的两个视频信号，并将它们记录在记录介质上，从而可以记录具有较宽亮度分布的目标的视频信号，而对于图像再现设备，校正电路对标准照度视频信息和高照度视频信息进行校正，用户通过目标照度范围指定电路指定待输出的目标照度范围，而电平转换器将亮度转换到显示装置或打印机能够输出的亮度电平。
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公开(公告)号：CN1319164C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200310100789.X
申请日：2003-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 福本彰
IPC: H01L23/52 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和其制造方法，在用于对键合焊盘进行开口的腐蚀工序后，在绝缘保护膜上不发生缺损，可不增加使成本上升的工序来进行制造。本发明的半导体器件在半导体衬底上形成多条布线(101)或导电膜图形，并在所述多条布线(101)或导电膜图形间形成间隙，其中：在所述多条布线(101)或导电膜图形的至少一个弯曲部或末端部，从夹持所述间隙的某一个的布线或导电膜图形向所述间隙形成突出部(102)。
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公开(公告)号：CN1301618C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410045704.7
申请日：1996-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/772 , H04N5/9205
Abstract: 在图像记录设备中，在给定信号电荷积累时间内，图像传感器获得了具有不同信号电荷积时间的两个视频信号，并将它们记录在记录介质上，从而可以记录具有较宽亮度分布的目标的视频信号，而对于图像再现设备，校正电路对标准照度视频信息和高照度视频信息进行校正，用户通过目标照度范围指定电路指定待输出的目标照度范围，而电平转换器将亮度转换到显示装置或打印机能够输出的亮度电平。
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公开(公告)号：CN1848437A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610066615.X
申请日：2006-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1083 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种小型的、同时适合与低耐压MOS型晶体管同时形成的高耐压的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在通过形成于第一导电型的半导体层的元件分离绝缘膜区域区分的区域中，具有隔着栅绝缘膜形成的栅电极和第二导电型的源极区域以及漏极区域。而且，所述源极区域和漏极区域中的至少一方具有第一低浓度区域和高浓度区域，在所述元件分离绝缘膜的下侧形成的沟道截断区域与所述源极区域和漏极区域之间具有第二导电型的第二低浓度区域。另外，所述栅电极正下方的半导体层沿着栅电极向沟道截断区域侧突出，与该半导体层和沟道截断区域接触。
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