公开(公告)号：CN1165073C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN00807405.4

申请日：2000-10-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本伸 ,  岸田刚信 ,  江头恭子 ,  畑良文 ,  西胁彻 ,  田中知哉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/44 ,  H01L21/445 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y10S148/019 ,  Y10S148/046

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后，在半导体层上沉积金属膜。然后，对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应，以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。

公开(公告)号：CN1360734A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN00807405.4

申请日：2000-10-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本伸 ,  岸田刚信 ,  江头恭子 ,  畑良文 ,  西胁彻 ,  田中知哉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/44 ,  H01L21/445 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y10S148/019 ,  Y10S148/046

Abstract: 一种半导体装置的制造方法,在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后,在半导体层上沉积金属膜。然后,对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应,以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。