公开(公告)号：CN1489188A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN1165073C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN00807405.4

申请日：2000-10-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本伸 ,  岸田刚信 ,  江头恭子 ,  畑良文 ,  西胁彻 ,  田中知哉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/44 ,  H01L21/445 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y10S148/019 ,  Y10S148/046

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后，在半导体层上沉积金属膜。然后，对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应，以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。

公开(公告)号：CN1391260A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02108138.7

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  多田慎也 ,  池田敦 ,  原田刚史 ,  杉原康平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，它在设于半导体衬底上的绝缘性或者导电性膜上形成阻挡层，在该阻挡层上设置由导电膜组成的电极或者布线。阻挡层是晶体结构为β结构的钽膜。

公开(公告)号：CN1477695A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03143801.6

申请日：2003-07-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 垂水喜明 ,  池田敦 ,  岸田刚信

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其目的在于：为微细化了的布线形成沟及通孔，制成不会出现空隙或者缝口且埋入特性优良的金属布线。利用溅射法在包含通孔17a及上布线形成沟18a的壁面及底面的第4绝缘膜17上沉积厚度约25nm、由氮化钽制成的下阻挡层19。此时的溅射条件是对靶施加约10kW的DC源功率。之后，将DC源功率降到2kW左右，对半导体衬底施加约200W的RF功率，对下阻挡层19进行使用了氩气的、蚀刻量为5nm左右的溅射蚀刻，由此而将沉积在通孔17a的底面的下阻挡层19的至少一部分沉积在通孔17a的壁面的下方。

公开(公告)号：CN1360734A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN00807405.4

申请日：2000-10-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本伸 ,  岸田刚信 ,  江头恭子 ,  畑良文 ,  西胁彻 ,  田中知哉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/44 ,  H01L21/445 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  Y10S148/019 ,  Y10S148/046

Abstract: 一种半导体装置的制造方法,在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后,在半导体层上沉积金属膜。然后,对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应,以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。

公开(公告)号：CN1267976C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN1267969C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02108138.7

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  多田慎也 ,  池田敦 ,  原田刚史 ,  杉原康平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，它在设于半导体衬底上的绝缘性或者导电性膜上形成阻挡层，在该阻挡层上设置由导电膜组成的电极或者布线。阻挡层是晶体结构为β结构的钽膜。

公开(公告)号：CN1205666C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN01136837.3

申请日：2001-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  原田刚史 ,  樋野村彻 ,  阿部弘光 ,  佐竹光成 ,  国光健一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体衬底10上形成下层金属布线，在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中，填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。

公开(公告)号：CN1351369A

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN01136837.3

申请日：2001-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  原田刚史 ,  樋野村彻 ,  阿部弘光 ,  佐竹光成 ,  国光健一

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,在半导体衬底10上形成下层金属布线,在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中,填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。