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公开(公告)号：CN1517703A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001447.7
申请日：2004-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N23/223
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及X射线受光元件。准备在硅基板(101)上，按以下顺序设置硅氧化膜(102)、聚酯硅层(103)及钛硅化物层(104)的测量用基板(100)。用X射线照射该测量用基板(100)，根据由硅氧化膜(102)的氧放射的硬性X射线的强度，和由钛硅化物层(104)的钛放射的硬性X射线的强度，测量钛硅化物层(104)中的化合比互不相同的3种硅化物的存在比率。提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。
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公开(公告)号：CN100401489C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410001447.7
申请日：2004-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及X射线受光元件。准备在硅基板(101)上，按以下顺序设置硅氧化膜(102)、聚脂硅层(103)及钛硅化物层(104)的测量用基板(100)。用X射线照射该测量用基板(100)，根据由硅氧化膜(102)的氧放射的硬X射线的强度，和由钛硅化物层(104)的钛放射的硬X射线的强度，测量钛硅化物层(104)中的化合比互不相同的3种硅化物的存在比率。提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。
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公开(公告)号：CN1269216C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01821733.8
申请日：2001-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10885 , H01L28/55 , H01L28/60 , Y10S257/905 , Y10S257/908
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，它可避免因上部电极露出所导致的电容绝缘膜的特性降低。本发明在半导体存储器件的动态随机存取存储体(DRAM)存储单元中，第一层间绝缘膜上，设置有连接至位元线插塞的位元线，以及局部布线。而遍及于金属掩膜、上部势垒金属、铂(Pt)膜(铂膜)以及钛酸锶钡(BST)膜的侧面，设置有包含氧化铝钛膜(TiAlN)的导体侧壁。构成上部电极的铂(Pt)膜上未设置接点，而透过导体侧壁、虚设下部电极、虚设单元插塞以及局部布线，使上部电极连接至上层布线(铜布线)。由于铂(Pt)膜未曝露在还原性气体中，故可防止电容绝缘膜的特性降低。
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公开(公告)号：CN1484860A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN01821733.8
申请日：2001-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10885 , H01L28/55 , H01L28/60 , Y10S257/905 , Y10S257/908
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，它可避免因上部电极露出所导致的电容绝缘膜的特性降低。本发明在半导体存储器件的动态随机存取存储体(DRAM)存储单元中，第一层间绝缘膜上，设置有连接至位元线插塞的位元线，以及局部布线。而遍及于金属掩膜、上部势垒金属、铂(Pt)膜(铂膜)以及钛酸锶钡(BST)膜的侧面，设置有包含氧化铝钛膜(TiAlN)的导体侧壁。构成上部电极的铂(Pt)膜上未设置接点，而透过导体侧壁、虚设下部电极、虚设单元插塞以及局部布线，使上部电极连接至上层布线(铜布线)。由于铂(Pt)膜未曝露在还原性气体中，故可防止电容绝缘膜的特性降低。
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