有机EL元件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103283054A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201180064123.6

    申请日:2011-01-21

    CPC classification number: H01L51/52 H01L51/5088 H01L51/56 H01L2251/55

    Abstract: 本发明提供能耐受有机EL显示面板的量产工艺,并且由于优异的空穴注入效率而能期待实现低电压驱动且高发光效率的有机EL元件。具体地讲,在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(4)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8),构成有机EL元件(1)。空穴注入层(4)为以规定的成膜条件成膜的膜厚2nm以上的氧化钨层,并且,在其电子态中,在比价电子带中最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能的范围内存在占有能级。由此,降低阳极(2)与空穴注入层(4)之间、以及空穴注入层(4)与缓冲层(6A)之间的空穴注入势垒。

    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102334384A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201080001392.3

    申请日:2010-02-22

    Inventor: 矢田修平

    CPC classification number: H01L27/3246 H05B33/10

    Abstract: 在发光装置的显示面板(10)中,在平坦化膜(103)中的子像素(11a)的下部电极层(110)与子像素(11b)的下部电极层(110)之间设置有凹部(103a)。平坦化膜(103)中的凹部(103a)比平坦化膜(103)的其他部分的上面下沉,在凹部(103)的上面形成有与半导体性中间层(121a)同一材料的凹部内形成层(121b)。并且,与形成在平坦化膜(103)的凹部(103a)的上面的半导体性中间膜同一材料的凹部内形成层(121b)的端部的膜厚(t2)比其中央部的膜厚(t1)薄。

    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102334384B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201080001392.3

    申请日:2010-02-22

    Inventor: 矢田修平

    CPC classification number: H01L27/3246 H05B33/10

    Abstract: 在发光装置的显示面板(10)中,在平坦化膜(103)中的子像素(11a)的下部电极层(110)与子像素(11b)的下部电极层(110)之间设置有凹部(103a)。平坦化膜(103)中的凹部(103a)比平坦化膜(103)的其他部分的上面下沉,在凹部(103)的上面形成有与半导体性中间层(121a)同一材料的凹部内形成层(121b)。并且,与形成在平坦化膜(103)的凹部(103a)的上面的半导体性中间膜同一材料的凹部内形成层(121b)的端部的膜厚(t2)比其中央部的膜厚(t1)薄。

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