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公开(公告)号：CN1836330A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023090.0
申请日：2004-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L22/32 , G01R31/2831 , G01R31/2856 , G01R31/2884 , H01L27/0203 , H01L27/118 , H01L2224/05554
Abstract: 在半导体晶片上存在的多个半导体集成电路中，具有功能电路(3)、多个焊盘(4)、与焊盘(4)电气连接并与探针卡(7)的凸点相接触的布线(8)，通过至少2个布线(8a)、(8b)不互相接触地同时与1个凸点(6)在凸点区域以外的区域相接触，实施晶片级预烧。由此，即使使芯片面积小型化，也可以实施晶片级预烧。
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公开(公告)号：CN1504853A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310119525.9
申请日：2003-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种参数修正电路中，在LSI的端子(9)上连接有电阻值为目标值的高精度的基准电阻元件(R)。从已连接到恒流源(1)上的镜像电路(2)向上述基准电阻元件流以恒流(I1)，用电压测量电路(7)测量在基准电阻元件(R)上产生的电压值。从镜像电路(2)向作为修正对象的可变电阻元件(Rv)流以同一恒流(I1)，使得这时在可变电阻元件(Rv)上产生的电压变成为在上述基准电阻元件(R)上产生的电压那样地调整可变电阻元件(Rv)的电阻值。因此，即便是因制造离差等而得不到恒流源(1)的恒流(I1)的绝对精度的情况下，也可以把可变电阻元件(Rv)的电阻值精度良好地修正为目标值。
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公开(公告)号：CN101588170A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910158602.9
申请日：2003-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/003 , H03L7/08 , G05F5/00
Abstract: 一种半导体集成电路，包括：端子，连接至具有已知参数值的基准参数元件；可变参数元件，所述可变参数元件的参数值能够通过控制信号进行控制；电压测量电路，分别测量所述端子处的电压和在所述可变参数元件中产生的电压；电流源电路，为所述端子和所述可变参数元件提供电流；第一开关电路，位于所述电流源电路和所述端子之间；以及第二开关电路，位于所述电流源电路和所述可变参数元件之间。可以精度良好地修正电阻元件等的参数，而不会受在内部具备的恒流源等的零件的制造离差的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101305419A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041624.1
申请日：2006-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/00456
Abstract: 本发明提供一种光盘记录装置，在数据的记录中，进行激光的输出脉冲的测定，并对写策略的相位设定进行校正来记录，以便以正确的相位输出脉冲。在激光控制系统中，在激光以恒定的功率出射的状态下，使写策略的相位设定变化。针对作为激光的标记部的多脉冲的出射光，由光检测器进行电压转换后，由LPF进行平均化。以电压电平对与相位设定对应的时间性变化进行测定检测，对写策略生成电路的相位设定进行校正更新，以使测定电平成为理想电平。
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公开(公告)号：CN100524148C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200310119525.9
申请日：2003-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种参数修正电路中，在LSI的端子(9)上连接有电阻值为目标值的高精度的基准电阻元件(R)。从已连接到恒流源(1)上的镜像电路(2)向上述基准电阻元件流以恒流(I1)，用电压测量电路(7)测量在基准电阻元件(R)上产生的电压值。从镜像电路(2)向作为修正对象的可变电阻元件(Rv)流以同一恒流(I1)，使得这时在可变电阻元件(Rv)上产生的电压变成为在上述基准电阻元件(R)上产生的电压那样地调整可变电阻元件(Rv)的电阻值。因此，即便是因制造离差等而得不到恒流源(1)的恒流(I1)的绝对精度的情况下，也可以把可变电阻元件(Rv)的电阻值精度良好地修正为目标值。
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公开(公告)号：CN1187901C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02123207.5
申请日：2002-06-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/38
Abstract: 一种依次比较型A/D转换器，用对于电容器51[N]-51[0]的电容的加权的倒数来对模拟开关61[N]-51[0]、71[N]-51[0]、81[N]-51[0]的导通电阻进行加权。据此，因为对于各电容器51[N]-51[0]的时间常数变为相等，所以能克服动作速度的下降的问题，能实现高速动作。另外，还能把面积增加抑制在最小限度。能使动作速度提高。
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公开(公告)号：CN1534863A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410001917.X
申请日：2004-01-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03K3/0315 , H03K3/0322
Abstract: 本发明在实现广振荡频率范围的振荡电路中，提供一种相对于控制振荡频率的电流具有优越的振荡频率直线性的振荡电路。为了使基于来自作为振荡电路内的恒定电流源的PMOS晶体管(MP1)、(MP2)、(MP3)的恒定电流充电或恒定电流放电的振荡输出的振幅不依存于振荡频率成为一定的值，而将作为限制该振荡输出的振幅的限制元件的NMOS晶体管(MN4)、(MN5)、(MN6)串联地插入到上述恒定电流源(MP1)、(MP2)、(MP3)的漏极侧。
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公开(公告)号：CN1391353A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02123207.5
申请日：2002-06-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/38
Abstract: 一种依次比较型A/D转换器，用对于电容器51[N]－51[0]的电容的加权的倒数来对模拟开关61[N]－51[0]、71[N]－51[0]、81[N]－51[0]的导通电阻进行加权。据此，因为对于各电容器51[N]－51[0]的时间常数变为相等，所以能克服动作速度的下降的问题，能实现高速动作。另外，还能把面积增加抑制在最小限度。能使动作速度提高。
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