公开(公告)号：CN100517742C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410043191.6

申请日：2004-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑田隆男

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: G11C19/282 ,  H01L27/0214 ,  H03K17/063

Abstract: 一种电压产生设备，其中通过包含MOS晶体管的装置产生将提供给该MOS晶体管的漏极部分的第一偏置电压以及随预定电位差脉动的脉冲电压。根据在该包含MOS晶体管的装置中产生的脉冲电压的预定电位差值、在该包含MOS晶体管的装置中产生的第一偏置电压值、以及在该MOS晶体管的栅极部分下方设置的沟道部分的沟道电位，电压产生装置产生将提供给该MOS晶体管的栅极部分的第二偏置电压。叠加装置通过将脉冲电压叠加到由该电压产生装置产生的第二偏置电压上，产生将提供给该MOS晶体管的栅极部分的电压。

公开(公告)号：CN1551366A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043191.6

申请日：2004-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑田隆男

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: G11C19/282 ,  H01L27/0214 ,  H03K17/063

Abstract: 一种电压产生设备，其中通过包含MOS晶体管的装置产生将提供给该MOS晶体管的漏极部分的第一偏置电压以及随预定电位差脉动的脉冲电压。根据在该包含MOS晶体管的装置中产生的脉冲电压的预定电位差值、在该包含MOS晶体管的装置中产生的第一偏置电压值、以及在该MOS晶体管的栅极部分下方设置的沟道部分的沟道电位，电压产生装置产生将提供给该MOS晶体管的栅极部分的第二偏置电压。叠加装置通过将脉冲电压叠加到由该电压产生装置产生的第二偏置电压上，产生将提供给该MOS晶体管的栅极部分的电压。

公开(公告)号：CN101015065A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580028075.X

申请日：2005-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑田隆男

IPC: H01L27/148 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14806 ,  H01L29/76833

Abstract: 在具有在半导体衬底(1)上隔着绝缘层(3)而配置了转移电极(2a～2c)的结构的半导体器件(10)中，在半导体衬底(1)的与转移电极(2a～2c)的正下方的区域重叠的位置，包括一导电型的第1半导体区域(4)、与一导电型相反的导电型的第2半导体区域(5)、以及一导电型的第3半导体区域(6)。第2半导体区域(5)形成在第1半导体区域(4)上。第3半导体区域(6)形成在第2半导体区域(5)上，以使第2半导体区域(5)的耗尽时的电位的最大点(8)的位置比不存在第3半导体区域(6)的情况变深。

公开(公告)号：CN1132252C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96110466.X

申请日：1996-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石川克也 ,  黑田隆男 ,  松田祐二 ,  庭山雅彦 ,  立川景士

IPC: H01L31/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14825

Abstract: 本发明提供一种具备即使将象素部微细化，也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCD n+层4后，在包括垂直CCD n+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5，在垂直CCD n+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCD n+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCD n+层4的电荷读出的读出控制部5b。

公开(公告)号：CN101015065B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580028075.X

申请日：2005-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑田隆男

IPC: H01L27/148 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14806 ,  H01L29/76833

Abstract: 在具有在半导体衬底(1)上隔着绝缘层(3)而配置了转移电极(2a～2c)的结构的半导体器件(10)中，在半导体衬底(1)的与转移电极(2a～2c)的正下方的区域重叠的位置，包括一导电型的第1半导体区域(4)、与一导电型相反的导电型的第2半导体区域(5)、以及一导电型的第3半导体区域(6)。第2半导体区域(5)形成在第1半导体区域(4)上。第3半导体区域(6)形成在第2半导体区域(5)上，以使第2半导体区域(5)的耗尽时的电位的最大点(8)的位置比不存在第3半导体区域(6)的情况变深。