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公开(公告)号：CN102729153A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210102487.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 株式会社不二制作所
CPC classification number: B24C7/0046 , B24C1/08
Abstract: 在通过使用压缩气流将动能施加给研磨剂来实施抛光的方法中获得水平切削力，而作用在工件表面上的垂直切削力得到抑制。不含有研磨剂的压缩气体从加速流产生喷嘴10朝向工件W的表面喷射，以产生沿着工件W的表面的加速流S。并且，研磨剂30被引入到研磨剂引入通道20，研磨剂引入通道20在加速流S产生区域朝向工件W的表面开口，优选地，研磨剂30与压缩气体一起引入到研磨剂引入通道20，以将研磨剂30与加速流S汇合，并使研磨剂30沿着工件W的表面滑动。这样将水平切削力施加到表面。
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公开(公告)号：CN103387334B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310166835.X
申请日：2013-05-08
Applicant: 株式会社不二制作所
Abstract: 本发明提供了一种用于剪裁出硬而易碎的基板的方法及装置，在由硬而易碎的材料制成的板材1上布局基板2并留出用于喷射的空间；在基板2的布局位置处在板材1的两个表面上形成第一保护膜4；在板材1的边缘3的两个表面上形成第二保护膜5并相对于第一保护膜4留出空间，并使第二保护膜5的外边缘距离板材1的外围的宽度为5mm或以下；通过喷射而从板材1的一个表面切割膜4、4之间以及膜4、5之间的区域6至板材1的厚度的约一半的深度，随后从板材1的另一表面切割，直至穿透板材1为止。即使在连续通过喷射进行切割以剪裁出基板2直至穿透由硬而易碎的材料制成的板材1时，本发明也可在不在板材1中产生裂纹的情况下进行剪裁。
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公开(公告)号：CN102729153B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210102487.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 株式会社不二制作所
CPC classification number: B24C7/0046 , B24C1/08
Abstract: 在通过使用压缩气流将动能施加给研磨剂来实施抛光的方法中获得水平切削力，而作用在工件表面上的垂直切削力得到抑制。不含有研磨剂的压缩气体从加速流产生喷嘴10朝向工件W的表面喷射，以产生沿着工件W的表面的加速流S。并且，研磨剂30被引入到研磨剂引入通道20，研磨剂引入通道20在加速流S产生区域朝向工件W的表面开口，优选地，研磨剂30与压缩气体一起引入到研磨剂引入通道20，以将研磨剂30与加速流S汇合，并使研磨剂30沿着工件W的表面滑动。这样将水平切削力施加到表面。
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公开(公告)号：CN101293336B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200810089235.7
申请日：2008-04-25
Applicant: 株式会社不二制作所
IPC: B24C5/02
Abstract: 本发明提供了一种喷枪运动装置，它能够容易地移动容纳在喷射室中的喷枪，并且能够在不泄漏粉尘的情况下从喷射室外部容易地执行其它操作。多个臂部件(第一输入臂(21)、第二输入臂(22)、第一输出臂(31)和第二输出臂(32))结合起来从而形成输入臂(20)和输出臂(30)；每个输入臂(20)和输出臂(30)都具有两个臂部件，两个臂部件中的一个臂可枢转地与另一个臂连接，从而可绕作为支点的结合部分旋转；输入臂(20)布置在喷射室(3)的外部，并且输出臂(30)布置在喷射室(3)的内部。此外，输入臂(20)和输出臂(30)通过穿过机箱(4)顶板的结合单元(40)而相互结合，并且设置有动力传输机构，它使输出臂(30)随输入臂(20)的旋转作同步旋转，从而使与输出臂(30)配合的喷枪(5)能够通过操作输入臂(20)而运动。
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公开(公告)号：CN101293336A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810089235.7
申请日：2008-04-25
Applicant: 株式会社不二制作所
IPC: B24C5/02
Abstract: 本发明提供了一种喷枪运动装置，它能够容易地移动容纳在喷射室中的喷枪，并且能够在不泄漏粉尘的情况下从喷射室外部容易地执行其它操作。多个臂部件(第一输入臂(21)、第二输入臂(22)、第一输出臂(31)和第二输出臂(32))结合起来从而形成输入臂(20)和输出臂(30)；每个输入臂(20)和输出臂(30)都具有两个臂部件，两个臂部件中的一个臂可枢转地与另一个臂连接，从而可绕作为支点的结合部分旋转；输入臂(20)布置在喷射室(3)的外部，并且输出臂(30)布置在喷射室(3)的内部。此外，输入臂(20)和输出臂(30)通过穿过机箱(4)顶板的结合单元(40)而相互结合，并且设置有动力传输机构，它使输出臂(30)随输入臂(20)的旋转作同步旋转，从而使与输出臂(30)配合的喷枪(5)能够通过操作输入臂(20)而运动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105636745B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201480056785.2
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社不二制作所
Abstract: 本发明提供一种喷丸加工方法，其能同时实现防止静电产生效果和增大加工量效果这双方。向设置于喷丸加工装置的喷丸喷嘴(8)以0.06cc/min～150cc/min这种较少的量导入水等液体，使导入的液体与在该喷丸喷嘴(8)内流动的高速的压缩气流或从喷丸喷嘴(8)喷射的高速的压缩气流碰撞而微粒化，将微粒化了的液体与所述压缩气体和研磨材料一起向被加工物(W)喷射。由于使液体微粒化并进行喷射以及使液体的供给量较少，所以使喷射的液体容易蒸发，作业室内的湿度上升而抑制静电的产生，并且通过在蒸发时夺取汽化热来对被加工物进行冷却，抑制因被加工物表面的软化而导致的吸收研磨材料的碰撞能量，从而能够提高加工量(切削量)，因被加工物表面与研磨材料的碰撞产生的发热而导致所述的软化。
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公开(公告)号：CN103339738B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280007026.8
申请日：2012-01-27
Applicant: 株式会社不二制作所
CPC classification number: H01L31/02363 , B28D5/045 , H01L21/02381 , H01L21/02658 , Y02E10/50
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种技术，用于通过比以往简单的方法，制造一个面具有绒面结构且另一个面具有反射率比具有所述绒面结构的面的反射率高的面的、对光封闭有效的硅基板。本发明的半导体基板的制造方法包括：喷砂工序，针对通过对硅锭进行切片制造出的作为切片状态的硅基板的第一面，通过喷砂处理进行表面处理；以及表面处理工序，在所述喷砂工序之后，利用含有氢氟酸和硝酸中的任意一种以上的腐蚀溶液，对所述硅基板进行表面处理。
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公开(公告)号：CN105636745A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056785.2
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社不二制作所
Abstract: 本发明提供一种喷丸加工方法，其能同时实现防止静电产生效果和增大加工量效果这双方。向设置于喷丸加工装置的喷丸喷嘴(8)以0.06cc/min～150cc/min这种较少的量导入水等液体，使导入的液体与在该喷丸喷嘴(8)内流动的高速的压缩气流或从喷丸喷嘴(8)喷射的高速的压缩气流碰撞而微粒化，将微粒化了的液体与所述压缩气体和研磨材料一起向被加工物(W)喷射。由于使液体微粒化并进行喷射以及使液体的供给量较少，所以使喷射的液体容易蒸发，作业室内的湿度上升而抑制静电的产生，并且通过在蒸发时夺取汽化热来对被加工物进行冷却，抑制因被加工物表面的软化而导致的吸收研磨材料的碰撞能量，从而能够提高加工量(切削量)，因被加工物表面与研磨材料的碰撞产生的发热而导致所述的软化。
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公开(公告)号：CN103387334A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310166835.X
申请日：2013-05-08
Applicant: 株式会社不二制作所
Abstract: 本发明提供了一种用于剪裁出硬而易碎的基板的方法及装置，在由硬而易碎的材料制成的板材1上布局基板2并留出用于喷射的空间；在基板2的布局位置处在板材1的两个表面上形成第一保护膜4；在板材1的边缘3的两个表面上形成第二保护膜5并相对于第一保护膜4留出空间，并使第二保护膜5的外边缘距离板材1的外围的宽度为5mm或以下；通过喷射而从板材1的一个表面切割膜4、4之间以及膜4、5之间的区域6至板材1的厚度的约一半的深度，随后从板材1的另一表面切割，直至穿透板材1为止。即使在连续通过喷射进行切割以剪裁出基板2直至穿透由硬而易碎的材料制成的板材1时，本发明也可在不在板材1中产生裂纹的情况下进行剪裁。
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公开(公告)号：CN103339738A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280007026.8
申请日：2012-01-27
Applicant: 株式会社不二制作所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , B28D5/045 , H01L21/02381 , H01L21/02658 , Y02E10/50
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种技术，用于通过比以往简单的方法，制造一个面具有绒面结构且另一个面具有反射率比具有所述绒面结构的面的反射率高的面的、对光封闭有效的硅基板。本发明的半导体基板的制造方法包括：喷砂工序，针对通过对硅锭进行切片制造出的作为切片状态的硅基板的第一面，通过喷砂处理进行表面处理；以及表面处理工序，在所述喷砂工序之后，利用含有氢氟酸和硝酸中的任意一种以上的腐蚀溶液，对所述硅基板进行表面处理。
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