公开(公告)号：CN103339738B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280007026.8

申请日：2012-01-27

Applicant: 株式会社不二制作所

Inventor： 高远秀尚 ,  坂田功 ,  间濑恵二 ,  石桥正三 ,  原田高行 ,  近藤庸市 ,  浅井秀之

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  B28D5/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02658 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种技术，用于通过比以往简单的方法，制造一个面具有绒面结构且另一个面具有反射率比具有所述绒面结构的面的反射率高的面的、对光封闭有效的硅基板。本发明的半导体基板的制造方法包括：喷砂工序，针对通过对硅锭进行切片制造出的作为切片状态的硅基板的第一面，通过喷砂处理进行表面处理；以及表面处理工序，在所述喷砂工序之后，利用含有氢氟酸和硝酸中的任意一种以上的腐蚀溶液，对所述硅基板进行表面处理。

公开(公告)号：CN103339738A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280007026.8

申请日：2012-01-27

Applicant: 株式会社不二制作所

Inventor： 高远秀尚 ,  坂田功 ,  间濑恵二 ,  石桥正三 ,  原田高行 ,  近藤庸市 ,  浅井秀之

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  B28D5/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02658 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种技术，用于通过比以往简单的方法，制造一个面具有绒面结构且另一个面具有反射率比具有所述绒面结构的面的反射率高的面的、对光封闭有效的硅基板。本发明的半导体基板的制造方法包括：喷砂工序，针对通过对硅锭进行切片制造出的作为切片状态的硅基板的第一面，通过喷砂处理进行表面处理；以及表面处理工序，在所述喷砂工序之后，利用含有氢氟酸和硝酸中的任意一种以上的腐蚀溶液，对所述硅基板进行表面处理。