公开(公告)号：CN1950947A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014771.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 河路佐智子 ,  石子雅康 ,  杉山隆英 ,  臼井正则 ,  斋藤顺 ,  堀田幸司

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p－型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n－型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。

公开(公告)号：CN100514675C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200580014771.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 河路佐智子 ,  石子雅康 ,  杉山隆英 ,  臼井正则 ,  斋藤顺 ,  堀田幸司

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p-型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n-型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。

公开(公告)号：CN100452428C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480033052.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  臼井正则 ,  杉山隆英

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

公开(公告)号：CN100505302C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480036076.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  臼井正则

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本分明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。

公开(公告)号：CN1879222A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033052.3

申请日：2004-11-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  臼井正则 ,  杉山隆英

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。

公开(公告)号：CN1890813A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480036076.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  臼井正则

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本发明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。