公开(公告)号：CN101694836B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200910211867.0

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟 ,  藤井照幸 ,  大沼英人 ,  石塚章广

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN100570850C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200510128580.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟 ,  藤井照幸 ,  大沼英人 ,  石塚章广

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN1684226A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064845.8

申请日：2005-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  Y10S438/978

Abstract: 相应于各种电路的TFTs的制造使其结构复杂，其涉及大量的制造步骤。这种在制造步骤数量上的增加导致更高的制造成本和更低的产率。在本发明中，使用用于斜面形状栅电极制造的斜面形状抗蚀剂以及斜面形状的栅电极作为掩模，掺杂高浓度的杂质，然后使用抗蚀剂作为掩模在垂直方向上刻蚀斜面形状的栅电极。用低浓度的杂质掺杂如此去除了斜面部分的栅电极下方的半导体层。

公开(公告)号：CN110998809A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050765.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN107980178A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680048760.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  浜田崇 ,  下村明久 ,  冈本悟 ,  栃林克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/4763 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。

公开(公告)号：CN1797739A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510128580.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟 ,  藤井照幸 ,  大沼英人 ,  石塚章广

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN114026592A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080043825.5

申请日：2020-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 金村卓郎 ,  东泰佑 ,  日比野洋也 ,  鸨巢敦哉 ,  乡户宏充 ,  冈本悟

IPC: G06Q50/10 ,  G06F3/01 ,  G06F3/16 ,  G06F3/0482 ,  G06V20/20 ,  G06V10/82 ,  G06F16/583 ,  G06F16/538

Abstract: 提供一种信息处理系统、信息处理装置及信息处理方法，该信息处理系统包括：具备显示单元及拍摄单元的可穿戴装置；以及通过网络与可穿戴装置连接的数据库，其中，数据库包括食谱、烹调方法及关于材料的信息中的至少一个，可穿戴装置通过拍摄单元检测第一材料，可穿戴装置通过数据库收集关于第一材料的信息，当在拍摄单元所拍摄的范围的特定区域中存在有第一材料时，在显示单元上显示关于第一材料的信息，当在特定区域中不存在有第一材料时，在显示单元上不显示关于第一材料的信息。

公开(公告)号：CN113491006A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080016065.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  冈本悟

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、设置于第一绝缘体与第一氧化物之间的第二绝缘体、与第一绝缘体接触且与第一氧化物的侧面接触的第二氧化物、第一绝缘体、第二氧化物及第一氧化物上的第三绝缘体，第三绝缘体包括与第一氧化物的顶面接触的区域，第二绝缘体及第三绝缘体包含与第二氧化物相比不容易透过氧的材料。

公开(公告)号：CN1691292B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200510068463.2

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C25D5/022 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明的一个目的是一种用于制造半导体器件的方法，通过它能去除当蚀刻导电层时形成的反应产品。根据本发明用于制造半导体器件的方法，包括去掉粘附到导电层以在垂直方向上延伸的的反应产品步骤，以使得反应产品在等离子体放电激活的活性物质加速的方向上的厚度很薄。应当注意到当蚀刻导电层时制造反应产品。

公开(公告)号：CN116782639A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310772146.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H10B12/00 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。