公开(公告)号：CN117242900A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280028939.1

申请日：2022-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  大野敏和 ,  沼田至优

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件以及无机绝缘层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极。无机绝缘层覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一发光层及第二发光层的各侧面。无机绝缘层的氢浓度及碳浓度都优选足够低。

公开(公告)号：CN119404607A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380047193.3

申请日：2023-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  泽井宽美 ,  沼田至优 ,  大嶋和晃

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/3205 ,  H10D30/01 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  H01L23/522 ,  H10D84/00 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D30/67 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B41/70 ,  H10B53/20 ,  H10B53/30

Abstract: 提供一种具有良好电特性的半导体装置。半导体装置包括第一叠层体、具有第一叠层体下的沟道形成区域的半导体层、半导体层下的第二叠层体。第一叠层体及第二叠层体至少包括第一绝缘体及第二绝缘体。此时，第一叠层体所包括的第一绝缘体及第二叠层体所包括的第一绝缘体具有隔着沟道形成区域彼此重叠的区域，第一叠层体所包括的第二绝缘体及第二叠层体所包括的第二绝缘体具有隔着第一叠层体所包括的第一绝缘体、沟道形成区域及第二叠层体所包括的第一绝缘体彼此重叠的区域。此外，第一叠层体所包括的第一绝缘体及第二叠层体所包括的第一绝缘体具有共同的功能，第一叠层体所包括的第二绝缘体及第二叠层体所包括的第二绝缘体具有共同的功能。