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公开(公告)号：CN112352318A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043643.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物、第五氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三导电体。第五氧化物与第二氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化物的侧面及第四氧化物的侧面接触。第二氧化物包含In、元素M及Zn。第一氧化物及第五氧化物各自包含第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化物及第四氧化物各自包含元素M。第三氧化物及第四氧化物具有其元素M的浓度比第二氧化物高的区域。
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公开(公告)号：CN119031706A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410637530.0
申请日：2024-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。晶体管包括第一导电层、第二导电层、半导体层、半导体层上的栅极绝缘层及栅极绝缘层上的栅电极，第一绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间，第二导电层位于第一绝缘层上，第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口部，半导体层与开口部的侧壁接触，半导体层包括第一氧化物层及第二氧化物层，第一氧化物层具有第一区域及第二区域，第二氧化物层位于第一区域与第二区域之间。
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公开(公告)号：CN117730419A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280048397.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H10B41/70 , H01L27/088 , H01L27/06 , H10B12/00 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 提供一种电特性不均匀少的晶体管。晶体管包括第一至第四导电体、第一至第十绝缘体以及氧化物。第三至第五绝缘体位于第二绝缘体上，第六绝缘体具有与第一绝缘体的顶面、氧化物的侧面、第二导电体的侧面及顶面以及第三导电体的侧面及顶面接触的区域，第一导电体与氧化物及第四导电体重叠，第三绝缘体与氧化物及第四导电体重叠，第四绝缘体与氧化物及第二导电体重叠，第五绝缘体与氧化物及第三导电体重叠，第八绝缘体与第三绝缘体的侧面、氧化物的侧面及第七绝缘体的侧面分别接触，第三绝缘体的顶面的高度与第四绝缘体的顶面及第五绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。
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公开(公告)号：CN116803231A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180068990.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B53/30
Abstract: 提供一种具有良好的铁电性的铁电器件。该铁电器件包括第一绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的铁电层、铁电层上的第二导电体、第二导电体上的第二绝缘体以及包裹第一导电体、铁电层、第二导电体及第二绝缘体的第三绝缘体，第二绝缘体具有俘获或固定氢的功能，第三绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119300428A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410867831.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置、存储装置或该半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种使用氧化物半导体层的晶体管、半导体装置、存储装置或该氧化物半导体层的制造方法，该氧化物半导体层包括第一区域、第一区域上的第二区域、第二区域上的第三区域，第一区域位于离氧化物半导体层的被形成面在大致垂直方向上有0nm以上且3nm以下处，并且在使用透射电子显微镜对氧化物半导体层进行截面观察的情况下，第一区域、第二区域及第三区域中都观察到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN117305780A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310755764.0
申请日：2023-06-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 提供一种新颖的溅射靶材及溅射靶材的制造方法。溅射靶材包括第一区域及第二区域。第一区域包括含有元素M1(元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr及B中的一种或多种)的第一金属氧化物。第二区域包括含有铟及锌的第二金属氧化物。第一区域与第二区域彼此分离。第一区域及第二区域各自为晶粒。第一区域与第二区域之间观察到晶界。第一区域及第二区域各自的径为5nm以上且10μm以下。
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公开(公告)号：CN116031400A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310134781.2
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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公开(公告)号：CN114497706A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111233015.9
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/056 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种二次电池及电子设备。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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公开(公告)号：CN119300442A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410841064.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供一种可用于具有良好的电特性的半导体装置的氧化物半导体层。另外，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明是一种形成在衬底上的包含铟的氧化物半导体层，氧化物半导体层以与衬底的表面平行或大致平行的方式形成，氧化物半导体层具有第一区域、第一区域上的第二区域以及第二区域上的第三区域，第一区域大致垂直地位于离氧化物半导体层的被形成面有0nm以上且3nm以下处，在利用透射电子显微镜观察氧化物半导体层的截面时，在第一区域、第二区域及第三区域的每一个中确认到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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