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公开(公告)号:CN1222019C
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN02805921.2
申请日:2002-11-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , B08B7/0021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于在高压处理室中通过使制品与超临界二氧化碳和一种化学流体进行接触,除去附着在被处理制品上积垢材料的方法,它包括实施除去在被处理制品上的积垢材料的步骤,在几乎相同压力条件下的第一次清洗步骤和第二次清洗步骤,同时允许超临界二氧化碳连续流动。
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公开(公告)号:CN1494733A
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN02805921.2
申请日:2002-11-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , B08B7/0021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于在高压处理室中通过使制品与超临界二氧化碳和一种化学流体进行接触,除去附着在被处理制品上积垢材料的方法,它包括实施除去在被处理制品上的积垢材料的步骤,在几乎相同压力条件下的第一次清洗步骤和第二次清洗步骤,同时允许超临界二氧化碳连续流动。
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公开(公告)号:CN1497667A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN200310102886.2
申请日:2003-10-22
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏影象制造株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B7/0021
Abstract: 本发明提供一种高压处理方法及高压处理装置,使用高压流体而对被处理体施予高压处理,其中,将所述高压流体冲撞到配置在高压处理室内的所述被处理体表面上之后,沿其表面流到该被处理体外边。
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公开(公告)号:CN1383191A
公开(公告)日:2002-12-04
申请号:CN02119819.5
申请日:2002-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏幕制造株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B08B3/00
CPC classification number: B08B7/0021 , B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在净室内可设置一部分的小型结构的装置,可稳定进行高压处理的高压处理装置。一种在加压下使被处理体接触高压流体和高压流体以外的药液,去除被处理体上的无用物质的高压处理装置,具有多个高压处理室、对各高压处理室提供高压流体的公共高压流体提供单元、对各高压处理室提供药液的公共药液提供单元、从处理完上述被处理体后上述高压处理室排出的高压流体和药液的混合物中分离气体成分的分离单元。
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公开(公告)号:CN100477074C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200310102886.2
申请日:2003-10-22
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏影象制造株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B7/0021
Abstract: 本发明提供一种高压处理方法及高压处理装置,使用高压流体而对被处理体施予高压处理,其中,将所述高压流体冲撞到配置在高压处理室内的所述被处理体表面上之后,沿其表面流到该被处理体外边。
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公开(公告)号:CN1260782C
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN02119819.5
申请日:2002-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏幕制造株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B08B3/00
CPC classification number: B08B7/0021 , B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 提供一种在净室内可设置一部分的小型结构的装置,可稳定进行高压处理的高压处理装置。一种在加压下使被处理体接触高压流体和高压流体以外的药液,去除被处理体上的无用物质的高压处理装置,具有多个高压处理室、对各高压处理室提供高压流体的公共高压流体提供单元、对各高压处理室提供药液的公共药液提供单元、从处理完上述被处理体后上述高压处理室排出的高压流体和药液的混合物中分离气体成分的分离单元。
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公开(公告)号:CN1212648C
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN02120051.3
申请日:2002-05-17
Applicant: 日本网目版制造株式会社 , 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304 , H01L21/461 , B08B3/00
CPC classification number: B08B9/0321 , B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 当基板清洗腔(5)的盖子打开,在腔中放置基板时,阀门V1,V2,V3,V4,和V6都关闭,只有阀门V5打开。于是,向基板清洗腔(5)提供气体CO2以防止环境空气成分进入腔及进行腔的净化。随着基板清洗腔(5)的盖子关闭,阀门V6打开以形成基板清洗腔(5)的排出管线。于是,在基板清洗腔(5)和导管中的气体残余受到CO2气体的排斥而进入环境空气中,从而进行了腔的净化而防止了任何不需要的环境空气成分的滞留。随后,使用超临界CO2清洗基板。当清洁循环线时,向循环线提供超临界CO2。超临界CO2流向基板清洗腔(5)。在流过包括循环管道(11)的所有循环线之后,超临界CO2通过旁路管道(12)流向减压器(7)。滞留在循环线中的任何化学试剂或有机物质与超临界CO2流体一起连续地流入到分离/回收槽(8)。
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公开(公告)号:CN1206708C
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN02118478.X
申请日:2002-04-27
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏幕制造株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , B08B3/04
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法,其特征为,它包括以下工序:在湿式处理装置中向基板供应处理液,进行湿式处理的湿式处理工序,把前述湿式处理后的基板在保持未干燥的状态下运送到与前述基板处理装置分开设置的干燥处理装置中的运送工序,以及在前述干燥处理装置中对前述基板进行采用超临界流体进行超临界干燥处理的干燥处理工序。本发明还提供一种基板处理设备,其特征为,它配备有:向基板供应处理液进行湿式处理的湿式处理装置,与该湿式处理装置分别设置、对基板进行采用超临界流体的超临界干燥处理的干燥处理装置,以及将前述湿式处理后的基板从前述湿式处理装置中取出、在保持其未干燥的状态下运送到前述干燥处理装置中的运送机构。
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公开(公告)号:CN1387236A
公开(公告)日:2002-12-25
申请号:CN02120051.3
申请日:2002-05-17
Applicant: 日本网目版制造株式会社 , 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/304 , H01L21/461 , B08B3/00
CPC classification number: B08B9/0321 , B08B7/0021 , Y10S134/902
Abstract: 当基板清洗腔5的盖子打开,在腔中放置基板时,阀门V1,V2,V3,V4,和V6都关闭,只有阀门V5打开。于是,向基板清洗腔5提供气体CO2以防止环境空气成分进入腔及进行腔的净化。随着基板清洗腔5的盖子关闭,阀门V6继续关闭以形成基板清洗腔的5的排出管线。于是,在基板清洗腔5和导管中的气体残余受到CO2气体的排斥而进入环境空气中,从而进行了腔的净化而防止了任何不需要的环境空气成分的滞留。随后,使用超临界CO2清洗基板。当清洁循环线时,向循环线提供超临界CO2。超临界CO2流向基板清洗腔5。在流过包括循环管道11的所有循环线之后,超临界CO2通过旁路管道12流向减压器7。滞留在循环线中的任何化学试剂或有机物质与超临界CO2流体一起连续地流入到减压器8。
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公开(公告)号:CN1385882A
公开(公告)日:2002-12-18
申请号:CN02118478.X
申请日:2002-04-27
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏幕制造株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , B08B3/04
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理设备,可以对晶片等基板进行从湿式处理直到超临界干燥处理的一系列处理、而且安全、通用性强,达到更高的生产效率。在湿式处理装置(1)中,对晶片(9)进行规定的湿式处理,将利用纯水漂洗处理后的晶片(9)在未干燥的状态下利用晶片运送装置(3)运送到与湿式处理装置(1)分开设置的干燥处理装置(2)中,在该处对晶片(9)进行超临界干燥处理。
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