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公开(公告)号：CN115516286A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180034156.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01L1/25
Abstract: 本发明的目的在于，提供能高精度测定圆角部的残留应力的残留应力测定方法。本发明的一个方式所涉及的残留应力测定方法中，在将X射线的入射角度设为Ψ[°]，将圆角半径设为R[mm]，将圆角角度设为θ[°]，将X射线应力测定装置的外壳的上下宽度设为W[mm]，将二维检测器的检测区域的宽度设为D[mm]，将布拉格角的余角设为η[°]，将穿过圆角中心且平行于凸缘部的假想直线与凸缘部的间隔设为a[mm]的情况下，满足下述式1，在Ψ≥0的情况下，上述算出工序中的以上述二维检测器为基准的X射线的照射距离L[mm]满足下述式2，在Ψ＜0的情况下，上述照射距离L满足下述式3。其中，入射角度Ψ将相对于穿过测定部位以及圆角中心的假想直线向轴部侧倾斜的情况设为正，将向凸缘部侧倾斜的情况设为负。D≤W …1
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公开(公告)号：CN110709689B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201880034768.7
申请日：2018-04-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/20016 , G01L1/00 , G01L1/25
Abstract: 一种对由金属构成的被检查体的应力进行测定的方法，该方法包括：检测工序，使X射线从照射部向被检查体入射，并且利用二维检测器对X射线在被检查体衍射而形成的衍射X射线的衍射环进行检测；以及计算工序，基于检测工序的检测结果来计算被检查体的应力，在检测工序中，在将照射部以向被检查体入射的入射角处于5°以上且20°以下的范围内的方式相对于被检查体倾斜的状态下，使X射线从该照射部分别向被检查体的多个部位入射，并且利用二维检测器对各X射线在被检查体衍射而形成的衍射环进行检测。
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公开(公告)号：CN110678742B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201880035154.0
申请日：2018-04-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/20016 , G01L1/00 , G01L1/25
Abstract: 本发明的应力测定方法是对由金属构成的、包括表面以及凹部的被检查体的凹部的应力进行测定的方法，所述应力测定方法包括：检测工序，使X射线向凹部入射，并且利用二维检测器对通过所述X射线在凹部衍射而形成的衍射X射线的衍射环进行检测；以及计算工序，基于检测工序的检测结果来计算凹部的应力，在检测工序中，对被检查体的凹部内的多个部位分别入射X射线，并且利用二维检测器对通过各X射线在凹部衍射而形成的衍射环进行检测。
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公开(公告)号：CN112823270A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066366.X
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
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公开(公告)号：CN111630376A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087096.6
申请日：2018-12-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/2055 , G01L1/25
Abstract: 本发明是使用了X射线的铸锻钢品的残留应力测定方法，具备：对铸锻钢品照射X射线的工序；对源自上述X射线的衍射X射线的强度二维地进行检测的工序；以及根据通过在上述检测工序中检测出的上述衍射X射线的强度分布而形成的衍射环，来算出残留应力的工序，当针对上述铸锻钢品的多个测定位置的每一个测定残留应力时，在上述算出工序中，根据每个上述测定位置的上述衍射环和按每个上述测定位置而不同的X射线的弹性常数，来算出每个上述测定位置的残留应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103098194B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180043985.0
申请日：2011-09-01
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01T1/16 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N22/00 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
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公开(公告)号：CN115516286B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202180034156.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01L1/25
Abstract: 本发明的目的在于，提供能高精度测定圆角部的残留应力的残留应力测定方法。本发明的一个方式所涉及的残留应力测定方法中，在将X射线的入射角度设为Ψ[°]，将圆角半径设为R[mm]，将圆角角度设为θ[°]，将X射线应力测定装置的外壳的上下宽度设为W[mm]，将二维检测器的检测区域的宽度设为D[mm]，将布拉格角的余角设为η[°]，将穿过圆角中心且平行于凸缘部的假想直线与凸缘部的间隔设为a[mm]的情况下，满足下述式1，在Ψ≥0的情况下，上述算出工序中的以上述二维检测器为基准的X射线的照射距离L[mm]满足下述式2，在Ψ＜0的情况下，上述照射距离L满足下述式3。其中，入射角度Ψ将相对于穿过测定部位以及圆角中心的假想直线向轴部侧倾斜的情况设为正，将向凸缘部侧倾斜的情况设为负。D≤W···1#imgabs0##imgabs1#
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公开(公告)号：CN112805531B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201980066338.8
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发光亮度的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发光亮度变化之比处于设定范围内，多个发光亮度测量部各自以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度，针对多个发光亮度测量部各自测量的钢板表面的各发光亮度，通过使用与该发光亮度测量部相对应的膜厚转换信息，求出与该测量的发光亮度相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
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公开(公告)号：CN112805531A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066338.8
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发光亮度的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发光亮度变化之比处于设定范围内，多个发光亮度测量部各自以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度，针对多个发光亮度测量部各自测量的钢板表面的各发光亮度，通过使用与该发光亮度测量部相对应的膜厚转换信息，求出与该测量的发光亮度相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
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公开(公告)号：CN112630233A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011002389.5
申请日：2020-09-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供能够在短时间内高效地检查铝基板的表面，从而检测微小的缺陷，并且能够辨别该缺陷是表面缺陷还是附着于表面的尘埃的基板表面缺陷检查方法。该基板表面缺陷检查方法包括：第一检查工序，在该第一检查工序中，使用拍摄铝基板(20)的整个面而得到的图像，对包含30μm以上的大小的缺陷的缺陷区域(21)进行提取；以及第二检查工序，在该第二检查工序中，基于由第一检查工序提取出的缺陷区域(21)的图像，辨别缺陷是表面缺陷还是附着于表面的尘埃。
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