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公开(公告)号：CN112823270B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201980066366.X
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
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公开(公告)号：CN106104781B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201580013083.0
申请日：2015-03-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 乾昌广
Abstract: 在本发明的氧化物半导体评价装置和该方法中，对于评价对象的氧化物半导体，照射规定波长的光和规定的测量波，测量由所述氧化物半导体反射的所述测量波的反射波。另外，测量所述氧化物半导体的厚度。然后，基于该测量到的所述氧化物半导体的厚度，校正所述反射波的强度。因此，氧化物半导体评价装置和该方法，通过进一步考虑所述氧化物半导体的厚度而评价所述氧化物半导体的迁移率，因此能够更高精度地评价所述氧化物半导体的迁移率。
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公开(公告)号：CN112823270A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066366.X
申请日：2019-10-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
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公开(公告)号：CN106104781A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013083.0
申请日：2015-03-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 乾昌广
CPC classification number: G01N22/00
Abstract: 在本发明的氧化物半导体评价装置和该方法中，对于评价对象的氧化物半导体，照射规定波长的光和规定的测量波，测量由所述氧化物半导体反射的所述测量波的反射波。另外，测量所述氧化物半导体的厚度。然后，基于该测量到的所述氧化物半导体的厚度，校正所述反射波的强度。因此，氧化物半导体评价装置和该方法，通过进一步考虑所述氧化物半导体的厚度而评价所述氧化物半导体的迁移率，因此能够更高精度地评价所述氧化物半导体的迁移率。
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公开(公告)号：CN103098194B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180043985.0
申请日：2011-09-01
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01T1/16 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N22/00 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117098615A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202180096254.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: B21C47/02
Abstract: 本发明的目的在于提供能够预测涡卷的端面的凹凸的温度履历的热轧钢板的制造方法。本发明的一方案的热轧钢板的制造方法包括测定热轧成的带状钢材的表面温度的工序、基于由上述测定工序测定出的上述表面温度而算出假定为将上述带状钢材卷绕为在端面不存在凹凸的涡卷状的情况下的卷绕后的自然冷却状态下的温度履历的工序、将上述测定工序后的上述带状钢材实际卷绕为涡卷状的工序、利用位移计扫描由上述卷绕工序卷绕成的涡卷的端面并在上述涡卷的半径的范围内导出上述端面的凹凸的大小的工序、以及使用由上述算出工序算出的温度履历以及由上述导出工序导出的凹凸的大小预测上述凹凸的自然冷却状态下的温度履历的工序。
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公开(公告)号：CN103311147B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310068740.4
申请日：2013-03-05
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
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公开(公告)号：CN103311147A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310068740.4
申请日：2013-03-05
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
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公开(公告)号：CN103098194A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043985.0
申请日：2011-09-01
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01T1/16 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N22/00 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。
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公开(公告)号：CN118159837A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071992.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01N23/223 , C23C2/02 , G01N33/2028
Abstract: 本发明的一个方式涉及的晶界氧化层的膜厚计算方法，是酸洗处理后的钢板上残留的晶界氧化层的膜厚计算方法，其中，具备如下工序：强度测量工序，测量相对于包含在上述钢板中，并且构成上述晶界氧化层内的氧化物的元素的X射线荧光强度；膜厚计算工序，基于预先提取的X射线荧光强度与晶界氧化层的膜厚的相关关系及在上述强度测量工序中所测量的上述X射线荧光强度，计算上述晶界氧化层的膜厚。
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